當MOSFET關斷時，由于主變壓器的漏感器（Llk）和MOSFET的輸出電容器（COSS）之間發生共振，漏極引腳上出現高壓尖峰。漏極引腳上的過大電壓可能導致雪崩擊穿，并最終損壞MOSFET。因此，有必要增加一個附加電路來鉗制電壓。本文提出了反激變換器RCD緩沖電路的設計原則。

　　最簡單的拓撲之一是反激變換器。它是由buck-boost變換器通過用耦合電感（即間隙鐵芯變壓器）替換濾波電感而得到的。當主開關打開時，能量以磁通形式存儲在變壓器中，并且在主開關關閉期間能量被轉移到輸出。由于變壓器在主開關接通期間需要儲存能量，因此鐵芯應留有間隙。由于反激變換器只需要很少的元件，所以它是一種非常流行的拓撲結構，適用于低功率和中等功率的應用，如電池充電器、適配器和DVD播放機。

　　圖1顯示了反激變換器在連續導通模式（CCM）和不連續導通模式（DCM）下工作，具有幾個寄生元件，如一次和二次漏感器、MOSFET的輸出電容和二次二極管的連接電容。當MOSFET關斷時，一次電流id在短時間內給MOSFET的cos充電。當通過COSS，Vds的電壓超過輸入電壓加上反射輸出電壓Vin+nVo時，二級二極管導通，從而使通過磁化電感Lm的電壓鉗制為nVo。因此，Llk1和COSS之間存在高頻高壓浪涌共振。MOSFET上的過電壓可能是其失效的主要原因。在CCM操作的情況下，二級二極管保持導通，直到MOSFET被選通。因此，當MOSFET導通時，二次二極管的反向恢復電流被加到一次電流中，因此，在導通的情況下，一次電流上有很大的電流浪涌。同時，由于在DCM操作的情況下，二次電流在一個開關周期結束前耗盡，MOSFET的Lm和COSS之間存在共振。

　　二次二極管打開，使得通過磁化感應器Lm的電壓被鉗制到nVo。因此，Llk1和COSS之間存在高頻高壓浪涌共振。MOSFET上的過電壓可能是其失效的主要原因。在CCM操作的情況下，二級二極管保持導通，直到MOSFET被選通。因此，當MOSFET導通時，二次二極管的反向恢復電流被加到一次電流中，因此，在導通的情況下，一次電流上有很大的電流浪涌。同時，由于在DCM操作的情況下，二次電流在一個開關周期結束前耗盡，MOSFET的Lm和COSS之間存在共振。