作者：貿澤電子公司保羅·皮克林撰文 電力系統設計師正面臨來自市場的持續壓力，努力尋找充分利用可用功率的方法。 在便攜式設備中，更高的效率將延長電池的使用壽命，使更多的功能可以被打包成更小的數據包。在服務器和基站中，更高的效率將節省基礎設施(冷卻系統)及運營的成本(電力賬單)。 為此，系統設計者正在改進幾個領域的能量轉換過程，包括更高效的開關模式拓撲、打包創新、以及基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)的新半導體設備。 開關變換器拓撲改進 為充分利用可用功率，人們越來越多地采用基于交換而不是線性技術的設計。開關電源(SMPS)的有效功率高達90%以上。這延長了便攜式系統的電池壽命，降低了大型裝置的電力成本，并釋放了原先用于散熱部件的空間。 轉至切換拓撲有一定的缺陷，其更復雜的設計形式要求具有多元化的技能。設計工程師必須熟悉模擬和數字技術、電磁學及閉環控制。印刷電路板(PCB)的設計者必須更加注意電磁干擾(EMI)，因為高頻開關波形會使敏感的模擬電路和射頻電路產生問題。 開關電源轉換的基本概念比晶體管的發明更早：例如，1910年發明的凱特式感應放電系統，其使用了機械振動器來執行汽車點火系統的回返推進轉換器。 許多標準的拓撲已經存在了幾十年，但這并不意味著工程師不會調整標準設計來適應新的應用程序，特別是控制循環。標準架構使用固定頻率，在不同的負載條件下，通過反饋輸出電壓的一部分(電壓模式控制)或控制感應電流(電流模式控制)，保持恒定的輸出電壓。設計師們已經不斷改進，以克服基本設計的缺陷。 圖1:電壓模式的降壓轉換器拓撲(來自:德州儀器) 圖1是基本的閉環電壓模式控制(VMC)系統的框圖。功率級由電源開關和輸出濾波器組成。補償塊包括輸出電壓分壓器、誤差放大器、電壓參考和回路補償元件。脈沖寬度調制器(PWM)使用比較器將錯誤信號與固定的斜面進行比較，產生與誤差信號成比例的輸出脈沖序列。 雖然VMC系統中，不同的負載皆有嚴格的輸出規則，且易于同步到外部時鐘，但標準架構有一些缺陷。循環補償降低了控制回路的帶寬，降低了瞬態響應的速度；錯誤放大器則增加了操作電流，降低了效率。 在不需要循環補償的情況下，恒定導通時間(COT)控制方案提供了良好的瞬態性能。COT控制使用比較器，比較具有參考電壓的縮放輸出電壓：當輸出小于參考時，就會生成一個固定的定時脈沖。在低負載比條件下，這可能導致開關頻率非常高，因此自適應COT控制器便會產生一個隨輸入和輸出電壓變化而變化的時間，而這在穩定狀態下可以保持頻率幾乎不變。 德州儀器的 D-CAP 拓撲是對自適應COT方法的改進：D-CAP控制器在反饋比較器的輸入中增加了一個斜坡電壓。通過減少應用程序中的噪聲頻帶，斜面改善了抖動性能。圖2是COT和D-CAP系統的比較。 圖2：標準COT拓撲(a)和D-CAP拓撲(b)的比較（來源：德州儀器） 針對不同的需求，D-CAP拓撲有幾種不同的變體。例如，TPS53632半橋PWM控制器使用D-CAP 架構，其設計主要針對高電流的應用程序，可以在48V到1V的POL變換器中驅動高達1MHz的功率級，效率高達92%。 與D-CAP相反，D-CAP 反饋環增加了一個與感應電流成比例的部件，用于精確的下垂控制。在不同的線路和負載條件下，添加的錯誤放大器將提升DC負載的準確性。 控制器的輸出電壓由內部DAC設置。當電流反饋達到誤差電壓水平時，這個周期就會開始，與DAC設置點電壓和反饋輸出電壓的放大差相對應。 在輕載荷條件下改善操作 對于移動和可穿戴設備，需要改善輕負荷條件下的性能，以延長電池運行時間。許多便攜式和可穿戴應用程序將大部分時間用于低功率的備用“暫時休眠”或“睡眠”模式，只在響應用戶輸入或進行定期測量時才會激活，因此在待機模式中，盡量減少功率消耗是最優先考慮的事情。 DCS-控制?(無縫過渡直接控制到省電模式)拓撲結構綜合了三種不同控制方案的優點，即遲滯模式、電壓模式和電流模式，以在輕載條件下改善性能，特別是過渡至輕載狀態或偏離輕載狀態時。該拓撲支持中型和重型負載的PWM模式，以及用于輕負載的電源保存模式(PSM)。 在PWM操作過程中，系統根據輸入電壓，以其額定開關頻率運行，并控制頻率變化。如果負載電流降低，轉換器就會切換到PSM，以保持高效率，直到降至較輕的負載。在PSM中，開關頻率隨負載電流線性降低。這兩種模式都是單個控制塊的功能，因此從PWM到PSM的轉換是無縫的，不會影響輸出電壓。 圖3是DCS-控制?塊框圖。控制回路獲取關于輸出電壓變化的信息，并將其直接反饋給快速比較器。比較器設置了開關頻率，它是穩態運行條件的常數，并對動態負載變化提供即時響應。電壓反饋回路可以精確地調節DC負載。內部補償調節網絡以小外部組件和低ESR電容器便可以實現快速穩定的操作。 圖3:DCS-控制?拓撲在TPS62130降壓轉換器中應用(來源:德州儀器) TPS6213xA-Q1同步開關電源轉換器基于DCS-控制?拓撲，對高功率密度的POL應用程序進行了優化。典型的2.5MHz開關頻率允許使用小型電感器，并能提供快速瞬態響應和高輸出電壓精度。TPS6213可以在3V到17V的輸入電壓范圍內操作，并且可以在0.9V和6V之間輸出高達3A的連續輸出電流。 新的封裝技術可以幫助設計師提高功率密度 另一種增加功率密度的方式是減小所需的PCB面積。其中一種方法便是將組件與DC / DC模塊結合起來。來自德州儀器的MicroSiP和 MicroSiL電源模塊，在電源轉換器中集成了被動元件和集成電路(IC)，其將IC嵌入到FR4薄片基板上，并在基材上安裝電感器，以此集成為單個設備。 完全集成的MicroSiP 電源模塊將IC和被動組件集成到一個最高集成級別的設備中。最小的模塊使用BGA的格式，其占用面積不足7mm2。 圖4: MicroSiP封裝將集成電路嵌入到基片中，并將被動組件堆在頂部，以形成微型DC-DC轉換器 (來源:德州儀器) MicroSiL設備集成了電源電感器和調節器IC，并使用了外部電容。該模塊的引腳分配和輪廓類似于方形扁平無引腳封裝（QFN）。例如，TPS82085功率模塊是同步降壓轉換器,可以在3mm × 2.8mm 8針腳封裝上傳輸3A的電流。 集成可以極大地減少內存占用，但是還需要權衡考量。例如，MicroSiP封裝在控制器的頂部堆了電感器，并在PCB上安裝組件。與離散設計相比，這些特性都提升了MicroSiP模塊的高度。 設計最小占用面積還需要減小電感器的尺寸。線圈電感與其面積和轉動次數成正比，所以在不改變電感的情況下，減少面積，就需增加使用的導線。更多的導線可以增加線圈的DC電阻。 超越硅的設計：碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）設備 更高的性能追求使得設計師們開始不斷探索能超越硅的材料。以SiC和GaN制造的電力設備開始在一些電力應用中取代硅設備。這二者都是寬帶寬(WBG)半導體的使用案例。 想必距您上一節固態物理課已有一段時間，我們先來了解一下固體。固體的能帶隙用于衡量價帶頂部和傳到帶底部之間的能量差（eV），是確定材料導電性的主要因素。 硅的能帶隙為1.1eV，相比之下，WBG半導體的能帶隙分別為3.3V (SiC) 和3.4V (GaN)，因此，需要更多的能量將電子從價帶傳輸到傳導帶。這對于電能半導體而言具有優勢:與硅相比，WBG設備具有更低的電阻、更高的擊穿電壓、高級的反向恢復特性，并且可以在更高的開關頻率上進行操作。 更高的開關頻率允許使用更小的電容、電感器和變壓器，其尺寸、重量和成本都大為節省。同時，DC-DC轉換效率可以提升10%。 德州儀器公司最近發布了一款LMG5200，將WBG半導體與高級封裝結合起來。LMG5200是半橋功率級，在一個QFN封裝中集成了兩個80V的GaN功率場效應管和一個高頻GaN驅動程序。LMG5200將與現有產品(如TPS53632)進行配對，以服務各種應用程序，包括用于計算、工業和電信應用程序的同步降壓轉換器和48V POL轉換器。 總結 提升效率和功率轉換密度的解決方案需要一個多學科的方法，借鑒控制器設計、封裝和半導體研究方面的專業知識。只有集各領域之所長，設計師才能滿足許多應用領域的需求，這些領域從低功耗電池驅動的可穿戴設備和便攜式設備，到高功率的電信交換機和數據中心等，范圍十分廣泛。 原文鏈接： (mbbeetchina)