LCOS和MILC技術分析??
內容摘要:本文介紹LOGS和MILG技術的近來發展及應用。LGOS技術是矽基CMOS集戚電路技術和LGD技術相結合的反射式顯示技術，它具有高密度、高解析度顯示特點，應用於投影顯示和頭盔顯示。MILG技術是金屬誘導橫向晶體生長技術，此技術成功地應用到低溫p－Si TFT，并成為激退火低溫p一Si TFT技術的有力競爭者。它具有設備投入低、工藝筒便可靠、重復性好、均勻性好等特點。MlLG將成為低溫p一Si TFT的核心技術，受到TFT產業界的重視。
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直視式大螢幕電視和顯示器尚未大量投放市場，使投影顯示發展活躍起來，其中LCOS(LiquidCrystalonSilicon)反射式投影顯示剛剛迸人市場，引起人們的重視。因為LCOS技術借矽基CMOS積體電路技術，在單晶矽片上CMOS陣列取代a一Si TFT LCD中玻璃基板上a一Si TFT陣列，相比之下前者生產技術更成熟，還有單晶矽遷移率遠高於a一Si遷移率，因此不僅適合於高密度、高解析度、高開口率顯示，而且可以周邊驅動電路集成一體，甚至可以集成資訊處埋系統。但LCOS微型顯示通過光學系統放大圖像幾十到幾百倍，帶來液晶顯示技術的新問題。本文介LCOS的應用和市場、LCOS基本結構、光學系統及液晶顯示中的新問題。

本文還要介紹MILC(Metal Induced Lateral Crystallization:金屬誘導橫向晶體生長)技術。此技術正在形成產業化的低溫多晶矽技術，成為準分子鐳射退火技術約有力競爭者，受到低溫p一Si TFT LCD企業家的高度重視。
LCOS
圖1表示LCOS應用范圍和市場。LCOS應用於頭盔顯示、拼接式顯示、前投影和背投影顯示。近期前投影和拼接式顯示占主導，遠期背投影占主導，今後LCOS主要應用於數位化HDTV。2000年產值為5億美元，到2004年產值將達到23億美元，年增長率為46.5％。
圖2表示LCOS結構。在單晶矽片上集成CMOS和存貯電容器的陣列，通過開孔把漏電極和圖元電極連結，圖元電極用鋁做成反射電極。為防止強光照射溝道，加一層金屬檔光層。另一側基板是ITO電極的玻璃板。液晶層盒厚愛圖元尺寸限制，一般盒厚取幾微米。LC0S前投影放大倍數大，顯示區內不能用控制盒厚的隔墊物，或者盒厚取小於2微米，可用隔墊物。
圖3表示軸上光學投影系統。用金屬鹵化物燈(亮度6000流明以上)或氖燈(亮度60000流明)，用拋物面反射鏡過濾紫外光和紅外光，再用冷反射鏡過濾紅外光，通過聚焦透鏡和復眼透鏡得到均勻的平行光，然後分色鏡分光，再通過PBS得到偏振光，通過LCOS反射進行合成并通過變焦透鏡投影到螢幕。在軸上投影系統緊湊性好，但很難得到高對比度。