大面積白光OLED器件
本文介紹了一種發出1200流明光的照明型大面積白光面板。該器件采用由藍色OLED發光向下轉換的技術方法獲得，器件為容錯型單片串連式結構。該器件的高發光效率表面聚合物得單/三線態發光效率可以突破25％。

器件結構：
?
圖1 白光器件結構

??
圖2 白光器件發光光譜

??
圖3 由3個發光單元組成的單片單片串連式結構中發光單元相互連接的側面結構圖。每個發光單元的活性面積由夾在ITO和陰極間的有機層的區域界定。
??
圖4 采用單片串連式結構的藍色OLED器件的性能

圖5 采用單片串連式結構的白色OLED器件的性能
????
圖6 大面積OLED示范板及性能參數

SID 05 DIGEST
4.2高效頂發射白光有機電致發光器件
Shih-Feng Hsu
Dept. of Applied Chemistry, National Chiao Tung University（臺灣交通大學）, Hsinchu, Taiwan
Shiao-Wen Hwang and Chin H. Chen
Display Institute, Microelectronics and Information Systems Research Center
National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan
通過調整陽極和陰極結構本文研制了一種寬光譜高效白光頂發射有機電致發光器件。為了緩解不期望的微腔效應并獲得寬光譜白光發射，器件陽極采用CFx覆蓋銀修正反射率，陰極采用折射率匹配層SnO2覆蓋的最大透過率為80％的Ca/Ag層。這個基於藍光黃光雙層結構的頂發射寬光譜白光器件最高電致發光效率為22.2 cd/A (9.6 lm/W)，此時驅動電壓為7.3V，電流密度為20 mA/cm2，色座標為(x ＝0.31, y ＝0.47)。
器件結構：
Device A：Ag (200 nm)/ITO (75 nm)/ NPB (50 nm)/1.5 wt% Rubrene : NPB (20 nm)/3 wt% DSA-Ph : MADN (40 nm)/ Alq3 (10 nm)/Ca (5 nm)/Ag (15 nm)

Device B：ITO (75 nm)/ NPB (50 nm)/1.5 wt% Rubrene : NPB (20 nm)/3 wt% DSA-Ph : MADN (40 nm)/ Alq3 (10 nm)/SnO2 (22.5nm)/Ca (5 nm)/Ag (15 nm)

Device C: Ag (200 nm)/ CFx /ITO (75 nm)/ NPB (50 nm)/1.5 wt% Rubrene : NPB (20 nm)/3 wt% DSA-Ph : MADN (40 nm)/ Alq3 (10 nm)/SnO2 (22.5nm)/Ca (5 nm)/Ag (15 nm)
??
圖1 本實驗所用主要材料的化學結構和三中頂發射器件的器件結構（A傳統 B透明 C電極修正）

表1 器件A, B,C在 20mA/cm2下的電致發光性能
?
?
圖2 3個頂發射器件的電致發光光譜

??
圖3 器件C在0，30， 60度視角下的電致發光光譜

????
圖4 器件A, B, C的電壓－電流－亮度曲線

制備在低溫多晶矽底板上的白光頂發射OLED器件照片

SID 05 DIGEST
4.3: 基於白光OLED器件的長壽命－低功耗紅綠藍白顯示
Jeffrey P. Spindler, Tukaram K. Hatwar, Michael E. Miller, Andrew D. Arnold, Michael J. Murdoch, Paul J. Kane, John E. Ludwicki, and Steven A. Van Slyke
Eastman Kodak Company（柯達公司）, Rochester, NY, USA

?? 本文描述了采用紅綠藍白圖元格式的低功耗、長壽命全彩OLED顯示技術。所得高效、穩定白光器件，色度得到了優化基本達到D65白點顯示，同時滿足了低功耗和穩定發光的要求。并且，討論了一種新的采用次級樣品紅和藍子圖元增加紅綠藍白顯示壽命的技術途徑。

表1 不同種類復合白光制備紅綠藍白和紅綠藍全彩器件的性能比較
?

??
圖1基於兩種不同復合白色發光的紅綠藍和紅綠藍白樣機的功耗比較圖

??
圖2紅綠藍和紅綠藍白OLED顯示的以開口率為函數的預期壽命曲線

??
圖3 （a）常規紅綠藍白條紋圖元圖形（b）次級紅綠藍白條紋圖元圖形

SID 05 DIGEST
4.4：具有最高能量效率最長壽命的新型全彩OLED顯示
Jan Birnstock, Michael Hofmann, Sven Murano, Martin Vehse, and Jan Blochwitz-Nimoth Novaled GmbH, Tatzberg 49, D-01307 Dresden, Germany（德國）
Qiang Huang, Gufeng He, Martin Pfeiffer, and Karl Leo
Institut fuer Angewandte Photophysik, Technische Universitaet Dresden, Georg-Baehr-Str. 1, D-01069
Dresden, Germany

?? 本文報導了一組用於全彩顯示的頂發射PIN-OLED（包含一個P型摻雜的空穴傳輸層，一個本征傳導發光層，和一個N型摻雜電子傳輸層的OLED）器件。對應于紅，綠，藍二極體，亮度為1000cd/m2的能量效率分別達到11 lm/W, 70 lm/W, 和8.4 lm/W。500cd/m2亮度下，磷光底發射PIN-OLED的壽命為30000小時，由此可以看出采用電荷載流子摻雜可以獲得更長壽命的器件。用新分子N摻雜材料NDN-1代替Cs可以獲得更高的器件穩定性。同時，本文報導了一種白光底發射OLED,色座標為0.35，0.37(95年色座標)，1000cd/m2下，能量效率達到16.3 lm/W。
?
??
圖1 紅色磷光頂發射器件的電壓－亮度曲線

??
圖2綠色磷光頂發射器件的電壓－亮度曲線

??
圖1 藍色螢光頂發射器件的電壓－亮度曲線

??
圖4 以上3個器件的色座標位置圖
???????????????????????????????????????????????????????
表1頂發射和底發射紅綠藍器件的性能比較