資料介紹
超高亮度LED 在太陽能城市燈光系統中的應用:LED(注入式電致發光二極管)已有近30 年的發展歷程。第一批商業化的LED 出現于己于1968 年,盡管多年以來LED 一直受到顏色和發光效率的限制,但由于GaP 和GaAsP LED 具有長壽命、高可靠、工作電流小、可與TTL、CMOS 數字電路兼容等許多優點,因而受到使用者的青瞇,開始進入包括宇航、飛機、汽車、工業應用、通信等多種應用領域,到1996 年LED 在全世界的銷售額已達到幾十億美元。近十年來,LED 材料和器件工藝技術研究的前沿課題一直是超高亮度化、全色化。所謂超高亮度LED(UHB)是指發光強度達到或超過100mcd 的LED,又稱坎德拉(cd)級LED。由于利用A1GaInP 和InGaN做發光層,超高亮度LED 的研制進展十分迅速,并達到常規材料GaA1As、GaAsP、GaP 不可能達到的性能水平。1991 年日本東芝公司和美國HP 公司研制成InGaA1P(λ=620nm)橙色超高亮度LED,1992 年InGaA1p(λ=590nm)黃色超高亮度LED 實用化。同年,東芝公司研制InGaA1P(λ=573nm)黃綠色超高亮度LED,法向光強達2cd。1994 年日本日亞公司研制成InGaN(λ=450nm)藍(綠)色超高亮度LED。至此,彩色顯示所需的三基色紅、綠、藍以及橙、黃多種顏色的LED 都達到了坎德拉級的發光強度,實現了超高亮度化、全色化,使發光管的戶外全色顯示成為現實。我國發展LED 起步于二十世紀七十年代,產業出現于二十世紀八十年代。目前全國約有100 多家企業,其中95%的廠家都從事后道封裝生產,所需管芯幾乎全部來自臺灣地區或從國外進口。通過幾個“五年計劃”的技術改造、技術攻關、引進國外先進設備和部分關鍵技術,使我國LED 的生產技術已向前跨進了一步。我國臺灣地區是世界LED 及管芯的主要產地,年產LED 約40 億只,產品品種規格齊全,性能達到或接近世界先進水平,所生產的管芯也大量出口日本等國。
2 超高亮度LED 的基本性能
2.1 各色超高亮度LED 的基本特性
超高亮度紅A1GaAs LED 具有更高的發光效率,透明襯底(TS)A1GaAs LED(640nm)的流明效率已接近10lm/w,比紅色GaAsP-GaP LED 大10 倍。超高亮度InGaAlP LED 提供的顏色與GaAsP-GaP LED相同,包括:綠黃色(560nm)、淺綠黃色(570nm)、黃色(585nm)、淺黃(590nm)、橙色(605nm)、淺紅(625nm)、深紅(640nm)。InGaAlP LED 吸收襯底(AS)的流明效率為10 1m/w,透明襯底(TS)為201m/w,在590-626nm 的波長范圍內比GaAsP-GaP LED 的流明效率要高10-20 倍;在560-570 的波長范圍內則比GaAsP-GaP LED 高出2-4 倍。超高亮度InGaN LED 提供了蘭色光和綠色光,其波長范圍蘭色為450-480nm,蘭綠色為500nm,綠色為520nm;其流明效率為3-151m/w。
2 超高亮度LED 的基本性能
2.1 各色超高亮度LED 的基本特性
超高亮度紅A1GaAs LED 具有更高的發光效率,透明襯底(TS)A1GaAs LED(640nm)的流明效率已接近10lm/w,比紅色GaAsP-GaP LED 大10 倍。超高亮度InGaAlP LED 提供的顏色與GaAsP-GaP LED相同,包括:綠黃色(560nm)、淺綠黃色(570nm)、黃色(585nm)、淺黃(590nm)、橙色(605nm)、淺紅(625nm)、深紅(640nm)。InGaAlP LED 吸收襯底(AS)的流明效率為10 1m/w,透明襯底(TS)為201m/w,在590-626nm 的波長范圍內比GaAsP-GaP LED 的流明效率要高10-20 倍;在560-570 的波長范圍內則比GaAsP-GaP LED 高出2-4 倍。超高亮度InGaN LED 提供了蘭色光和綠色光,其波長范圍蘭色為450-480nm,蘭綠色為500nm,綠色為520nm;其流明效率為3-151m/w。
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