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LED 芯片制造主要是為了制造有效可靠的低歐姆接觸電極，并能滿足可接觸材料之間最小的壓降及提供焊線的壓墊，同時盡可能多地出光。渡膜工藝一般用真空蒸鍍方法，其主要在 1.33×10？4Pa 高真空下，用電阻加熱或電子束轟擊加熱方法使材料熔化，并在低氣壓下變成金屬蒸氣沉積在半導體材料表面。一般所用的 P 型接觸金屬包括 AuBe、AuZn 等合金，N 面的接觸金屬常采用 AuGeNi 合金。鍍膜后形成的合金層還需要通過光刻工藝將發光區盡可能多地露出來，使留下來的合金層能滿足有效可靠的低歐姆接觸電極及焊線壓墊的要求。光刻工序結束后還要通過合金化過程，合金化通常是在 H2 或 N2 的保護下進行。合金化的時間和溫度通常是根據半導體材料特性與合金爐形式等因素決定。當然若是藍綠等芯片電極工藝還要復雜，需增加鈍化膜生長、等離子刻蝕工藝等。
2、LED 芯片制造工序中，哪些工序對其光電性能有較重要的影響？
一般來說，LED 外延生產完成之后她的主要電性能已定型，芯片制造不對其產甞核本性改變，但在鍍膜、合金化過程中不恰當的條件會造成一些電參數的不良。比如說合金化溫度偏低或偏高都會造成歐姆接觸不良，歐姆接觸不良是芯片制造中造成正向壓降 VF 偏高的主要原因。在切割后，如果對芯片邊緣進行一些腐蝕工藝，對改善芯片的反向漏電會有較好的幫助。這是因為用金剛石砂輪刀片切割后，芯片邊緣會殘留較多的碎屑粉末，這些如果粘在 LED 芯片的 PN 結處就會造成漏電，甚至會有擊穿現象。另外，如果芯片表面光刻膠剝離不干凈，將會造成正面焊線難與虛焊等情況。如果是背面也會造成壓降偏高。在芯片生產過程中通過表面粗化、劃成倒梯形結構等辦法可以提高光強。
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