資料介紹
特性
? 單電壓讀寫操作
– 2.7-3.6V
? 串行接口架構(gòu)
– 兼容 SPI:模式 0 和模式 3
? 雙輸入/輸出支持
– 快速讀取雙輸出指令 – 快速讀取雙 I/O 指令
? 高速時鐘頻率
– 高速讀 (0BH)時為 80 MHz – 快速讀取雙輸出 (3BH)時為 75 MHz – 快速讀取雙 I/O (BBH)時為 50 MHz – 讀取指令 (03H)時為 33 MHz
? 超高可靠性
– 可擦寫次數(shù):100,000 次 (典型值)
– 數(shù)據(jù)保存時間大于 100 年
? 低功耗
– 讀操作工作電流:12 mA (80 MHz 時的典型值),
對于單個位讀取
– 讀操作工作電流:14 mA (75 MHz 時的典型值),
對于雙位讀取
– 待機電流:5 μA (典型值)
? 靈活的擦除功能
– 均一 4 KB 扇區(qū)
– 均一 32 KB 覆蓋塊
– 均一 64 KB 覆蓋塊
? 快速擦除
– 全片擦除時間:35 ms (典型值)
– 扇區(qū)/塊擦除時間:18 ms (典型值)
? 頁編程
– 每頁 256 字節(jié)
– 單輸入和雙輸入支持
– 1.5 ms (典型值)的快速頁編程時間
? 寫操作結(jié)束檢測
– 軟件輪詢狀態(tài)寄存器中的 BUSY 位
? 寫保護 (WP#)
– 使能/禁止狀態(tài)寄存器的鎖定功能
? 軟件寫保護
– 通過狀態(tài)寄存器中的塊保護位實現(xiàn)寫保護
? 安全 ID
– 可一次性編程(One-Time Programmable,OTP)
的 256 位安全 ID
- 出廠前預編程的 64 位惟一標識符
- 192 位用戶可編程
? 溫度范圍
– 商業(yè)級:0°C 至 +70°C
– 工業(yè)級:-40°C 至 +85°C
? 可用封裝
– 16 引腳 SOIC (300 mil)
– 8 觸點 WSON (6 mm x 8 mm)
– 8 引腳 SOIC (200 mil)
? 所有器件均符合 RoHS 標準
- 基于SST39VF3201C/SST39VF3202C32 Mb (x16)多用途閃存
- 基于SST25WF512/SST25WF010/SST25WF020/SST25WF040下的串行閃存
- 基于SST26WF016B / SST26WF016BA下的1.8V 串行四 I/O(SQI)閃存
- 基于SST25VF020B下的2 Mb SPI 串行閃存
- 基于SST25VF032B下的32 Mb SPI 串行閃存
- 基于SST26WF016B/SST26WF016BA下的1.8V串行四I/O(SQI)閃存
- 64Mb(x16)高級多用途閃存+SST38VF6401B/SST38VF6402B/SST38VF6403B/SST38VF6404B
- 從SST25VF016B/032B移植到SST26VF016B和SST26VF032B/032BA.pdf
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