資料介紹
MCP87090 是采用常見的 PDFN 5 mm x 6 mm 封裝和
PDFN 3.3 mm x 3.3 mm 封裝的 N 溝道功率 MOSFET。
MCP87090 利用先進(jìn)的封裝和硅片工藝技術(shù),可以在給
定 RDS(ON) 值的情況下實(shí)現(xiàn)低 QG,從而獲得較低的品
質(zhì)因數(shù)(Figure of Merit,F(xiàn)OM)。MCP87090 器件的
低 FOM 與低 RG 相結(jié)合,可以支持高效率的功率轉(zhuǎn)換,
并降低開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗。
特性:
? 低漏 - 源導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))
? 低柵極總電荷 (QG)和柵 - 漏電荷 (QGD)
? 低串聯(lián)柵極電阻 (RG)
? 可以進(jìn)行短暫的死區(qū)操作
? 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)
應(yīng)用:
? 負(fù)載點(diǎn)直流 / 直流轉(zhuǎn)換器
? 服務(wù)器、聯(lián)網(wǎng)和汽車應(yīng)用中的高效電源管理
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