DDR2 SDRAM采用雙數據速率結構實現高速運行。雙數據速率體系結構本質上是4n預取體系結構，其接口設計為在I/O球處每個時鐘周期傳輸兩個數據字。DDR2 SDRAM的單次讀寫操作有效地包括在內部DRAM核心處的單次4n位寬、兩個時鐘周期的數據傳輸和在I/O球處的四次相應的n位寬、一個半時鐘周期的數據傳輸。雙向數據選通（DQS，DQS#）與數據一起從外部發送，用于在接收器處的數據捕獲。DQS是由DDR2 SDRAM在讀取期間和由存儲器控制器在寫入期間發送的選通。DQS與用于讀取的數據邊緣對齊，與用于寫入的數據中心對齊。x16產品有兩個數據選通，一個用于低字節（LDQ，LDQ#），一個用于高字節（UDQ，UDQ#）。DDR2 SDRAM從差分時鐘（CK和CK#）運行；CK向上和CK向下的交叉將被稱為CK的正邊緣。命令（地址和控制信號）記錄在CK的每個正邊緣。輸入數據注冊在DQS的兩邊，輸出數據引用DQS的兩邊以及CK的兩邊。對DDR2 SDRAM的讀寫訪問是面向突發的；訪問從一個選定的位置開始，然后在一個已編程的序列中繼續訪問一個已編程的位置數。訪問從注冊激活命令開始，然后是讀或寫命令。與激活命令一致注冊的地址位用于選擇要訪問的銀行和行。與讀或寫命令一致注冊的地址位用于選擇突發訪問的組和起始列位置。DDR2 SDRAM提供四個或八個位置的可編程讀或寫突發長度。DDR2 SDRAM支持用另一個讀中斷8的突發讀，或用另一個寫中斷8的突發寫?？蓡⒂米詣宇A充電功能以提供在突發存取結束時啟動的自動定時行預充電。與標準DDR SDRAM一樣，ddr2sdram的流水線、多銀行體系結構支持并發操作，從而通過隱藏行預充電和激活時間來提供高、有效的帶寬。提供自刷新模式以及省電、斷電模式。所有輸入均與SSTL_18的JEDEC標準兼容。所有全驅動強度輸出均與SSTL U 18兼容。