某些使用外置SDRAM 的STM32應(yīng)用客戶反映其產(chǎn)品在EMC測(cè)試中，存在由于SDRAM信號(hào)導(dǎo)致輻射干擾超標(biāo)的問(wèn)題。在終端產(chǎn)品中如果不能用機(jī)殼屏蔽輻射干擾，那么這類問(wèn)題往往需要通過(guò)修改SDRAM信號(hào)的PCB設(shè)計(jì)來(lái)解決。 這里針對(duì)SDRAM的PCB應(yīng)用設(shè)計(jì)中如何改善輻射干擾問(wèn)題做個(gè)概述，拋磚引玉，以供參考。 PCB設(shè)計(jì)中的SDRAM輻射干擾對(duì)策 SDRAM由于其工作在較高的頻率，具有較陡的上升沿和下降沿，因此在PCB設(shè)計(jì)中有必要將其信號(hào)走線按高速信號(hào)傳輸線來(lái)處理，通常要注意下面的一些基本原則: 1.保持SDRAM信號(hào)的完整性 SDRAM信號(hào)的失真將進(jìn)一步拓寬信號(hào)的輻射頻譜，從而帶來(lái)更嚴(yán)重的輻射問(wèn)題，因此必須注意SDRAM信號(hào)完整性設(shè)計(jì)。 --- 推薦使用4層或更多層板將SDRAM信號(hào)的特性阻抗控制在50歐姆，盡可能減少過(guò)孔在SDRAM總線上的使用，保持阻抗的連續(xù)性，減少由阻抗不連續(xù)導(dǎo)致的信號(hào)反射； --- SDRAM信號(hào)走線間距應(yīng)遵循3W原則，兩根走線中心間距盡可能保持至少3倍線寬， 可以減少因?yàn)樾盘?hào)間竄擾而導(dǎo)致的信號(hào)失真； --- 盡可能使SDRAM靠近MCU，縮短MCU到SDRAM信號(hào)走線的長(zhǎng)度（通常不應(yīng)超過(guò)120毫米); 2.保持最短的SDRAM信號(hào)回流路徑 對(duì)于多層PCB來(lái)說(shuō)，高速信號(hào)的回流路徑就是其走線在參考平面的投影。在PCB設(shè)計(jì)中，應(yīng)該注意保持其參考平面的完整連續(xù)，如果由于信號(hào)換層或電源層分割等原因而導(dǎo)致信號(hào)回流路徑被切斷，必須通過(guò)增加換層電容/換層地過(guò)孔和電源平面跨接電容等手段確保SDRAM信號(hào)有最短的回流路徑。 3.將SDRAM信號(hào)（特別是時(shí)鐘信號(hào)）布放在PCB的內(nèi)層 在SDRAM信號(hào)中，時(shí)鐘信號(hào)有最強(qiáng)的輻射電平，可以通過(guò)將其布放在PCB內(nèi)層并加以外層地銅箔屏蔽的方法減少其輻射。 對(duì)于STM32的FMC接口同時(shí)外掛有SDRAM和FLASH的設(shè)計(jì)，由于SDRAM和FLASH共享了某些MCU管腳，其復(fù)雜的走線拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進(jìn)一步增強(qiáng)了SDRAM信號(hào)的輻射干擾，建議將SDRAM和FLASH的走線都盡可能布放在PCB內(nèi)層，同時(shí)在PCB的外層用地平面對(duì)這些信號(hào)加以屏蔽。 4.保持SDRAM走線區(qū)域與其它信號(hào)/線纜盡可能遠(yuǎn)的距離 較長(zhǎng)的其它走線或線纜可以作為天線將耦合的SDRAM輻射信號(hào)發(fā)送出去，所以應(yīng)該在PCB中將它們布置在遠(yuǎn)離SDRAM信號(hào)的區(qū)域，必要的時(shí)候可以在這些走線或線纜連接端放置磁珠或濾波器衰減SDRAM輻射信號(hào)。 本文轉(zhuǎn)載自 (mbbeetchina)