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IGBT的優(yōu)勢在于輸入阻抗很高，開關(guān)速率快，導(dǎo)通態(tài)電壓低，關(guān)斷時阻斷電壓高，集電極和發(fā)射機承受電流大的特點，目前已經(jīng)成為電力電子行業(yè)的功率半導(dǎo)體發(fā)展的主流器件。IGBT已經(jīng)由第三代發(fā)展到第五代了，由穿透型發(fā)展到非穿透型。IGBT模塊也在此基礎(chǔ)上同步發(fā)展，單管模塊，半橋模塊，6管模塊，到現(xiàn)在的7管模塊。IGBT驅(qū)動設(shè)計上比較復(fù)雜，需要考慮較多的因素，諸如合理的選擇驅(qū)動電壓Uge和門極驅(qū)動電阻Rg，過流過壓保護(hù)等都是很重要的。IGBT模塊廣泛用于UPS，感應(yīng)加熱，逆變焊機電源，變頻器等領(lǐng)域。
圖1：半橋模塊
圖2：全橋模塊（H橋）
圖3：三相全橋6管封裝
對于世強代理的Vincotech7管封裝的IGBT模塊主要是用于電機驅(qū)動的變速調(diào)節(jié)和新能源逆變上，他由6管再加一個帶制動的IGBT單管封裝在一起構(gòu)成一個7管的封裝。
圖1：半橋模塊
圖2：全橋模塊（H橋）
圖3：三相全橋6管封裝
對于世強代理的Vincotech7管封裝的IGBT模塊主要是用于電機驅(qū)動的變速調(diào)節(jié)和新能源逆變上，他由6管再加一個帶制動的IGBT單管封裝在一起構(gòu)成一個7管的封裝。
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