01 MOSFET的擊穿有哪幾種？ Source、Drain、Gate ——? 場效應(yīng)管的三極： 源級S、漏級D、柵級G。（ 這里不講柵極GOX擊穿了啊，只針對漏極電壓擊穿） 先講測試條件，都是源柵襯底都是接地，然后掃描漏極電壓，直至Drain端電流達(dá)到1uA。所以從器件結(jié)構(gòu)上看，它的漏電通道有三條：Drain到source、Drain到Bulk、Drain到Gate。 Drain→Source穿通擊穿： 這個主要是Drain加反偏電壓后，使得Drain/Bulk的PN結(jié)耗盡區(qū)延展，當(dāng)耗盡區(qū)碰到Source的時候，那源漏之間就不需要開啟就形成了通路，所以叫做穿通（punch through）。 那如何防止穿通呢？這就要回到二極管反偏特性了，耗盡區(qū)寬度除了與電壓有關(guān)，還與兩邊的摻雜濃度有關(guān)，濃度越高可以抑制耗盡區(qū)寬度延展，所以flow里面有個防穿通注入（APT：AnTI Punch Through），記住它要打和well同type的specis。 當(dāng)然實際遇到WAT的BV跑了而且確定是從Source端走了，可能還要看是否 PolyCD或者Spacer寬度，或者LDD_IMP問題了，那如何排除呢？這就要看你是否NMOS和PMOS都跑了？POLY CD可以通過Poly相關(guān)的WAT來驗證。對吧？ 對于穿通擊穿，有以下一些特征： 穿通擊穿的擊穿點軟，擊穿過程中，電流有逐步增大的特征，這是因為耗盡層擴(kuò)展較寬，產(chǎn)生電流較大。另一方面，耗盡層展寬大容易發(fā)生DIBL效應(yīng)，使源襯底結(jié)正偏出現(xiàn)電流逐步增大的特征。 穿通擊穿的軟擊穿點發(fā)生在源漏的耗盡層相接時，此時源端的載流子注入到耗盡層中，被耗盡層中的電場加速達(dá)到漏端，因此，穿通擊穿的電流也有急劇增大點，這個電流的急劇增大和雪崩擊穿時電流急劇增大不同，這時的電流相當(dāng)于源襯底PN結(jié)正向?qū)〞r的電流，而雪崩擊穿時的電流主要為PN結(jié)反向擊穿時的雪崩電流，如不作限流，雪崩擊穿的電流要大。 穿通擊穿一般不會出現(xiàn)破壞性擊穿。因為穿通擊穿場強(qiáng)沒有達(dá)到雪崩擊穿的場強(qiáng)，不會產(chǎn)生大量電子空穴對。 穿通擊穿一般發(fā)生在溝道體內(nèi)，溝道表面不容易發(fā)生穿通，這主要是由于溝道注入使表面濃度比濃度大造成，所以，對NMOS管一般都有防穿通注入。 一般的，鳥嘴邊緣的濃度比溝道中間濃度大，所以穿通擊穿一般發(fā)生在溝道中間。 多晶柵長度對穿通擊穿是有影響的，隨著柵長度增加，擊穿增大。而對雪崩擊穿，嚴(yán)格來說也有影響，但是沒有那么顯著。