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電子發燒友網>電子資料下載>電子元器件應用>去耦電容與旁路電容的作用資料下載

去耦電容與旁路電容的作用資料下載

2021-04-17 | pdf | 128.07KB | 次下載 | 2積分

資料介紹

從電路來說,總是存在驅動的源和被驅動的負載。如果負載電容比較大,驅動電路要把電容充電、放電,才能完成信號的跳變,在上升沿比較陡峭的時候,電 流比較大,這樣驅動的電流就會吸收很大的電源電流,由于電路中的電感,電阻(特別是芯片管腳上的電感,會產生反彈),這種電流相對于正常情況來說實際上就 是一種噪聲,會影響前級的正常工作。這就是耦合。 去藕電容就是起到一個電池的作用,滿足驅動電路電流的變化,避免相互間的耦合干擾。旁路 電容實際也是去藕合的,只是旁路電容一般是指高頻旁路,也就是給高頻的開關噪聲提供一條低阻抗泄放途徑。高頻旁路電容一般比較小,根據諧振頻率一般是 0.1u,0.01u 等,而去耦合電容一般比較大,是 10u 或者更大,依據電路中分布參數,以及驅動電流的變化大小來確定。 旁路是把輸入信號中的干擾作為濾除對象,而去耦是把輸出信號的干擾作為濾除對象,防止干擾信號返回電源。這應該是他們的本質區別。 去耦電容在集成電路電源和地之間的有兩個作用: 一方面是本集成電路的蓄能電容,另一方面旁路掉該器件的高頻噪聲。 數字電路中典型的去耦電容值是 0.1μF。這個電容的分布電感的典型值是 5μH。 0.1μF 的去耦電容有 5μH 的分布電感,它的并行共振頻率大約在 7MHz 左右,也就是說,對于 10MHz 以下的噪聲有較好的去耦效果,對 40MHz 以上的噪聲幾乎不起作用。 1μF、10μF 的電容,并行共振頻率在 20MHz 以上,去除高頻噪聲的效果要好一些。 每 10 片左右集成電路要加一片充放電電容,或 1 個蓄能電容,可選 10μF 左右。最好不用電解電容,電解電容是兩層薄膜卷起來的,這種卷起來的結構在高頻時表現為電感。要使用鉭電容或聚碳酸酯電容。 去耦電容的選用并不嚴格,可按 C = 1 / F,即 10MHz 取 0.1μF,100MHz 取 0.01μF。 分布電容是指由非形態電容形成的一種分布參數。一般是指在印制板或其他形態的電路形式,在線與線之間、印制板的上下層之間形成的電容。這種電容的容量很小,但可能對電路形成一定的影響。 在對印制板進行設計時一定要充分考慮這種影響,尤其是在工作頻率很高的時候。也成為寄生電容,制造時一定會產生,只是大小的問題。 布高速 PCB 時,過孔可以減少板層電容,但會增加電感。分布電感是指在頻率提高時,因導體自感而造成的阻抗增加。 電容器選用及使用注意事項: 1. 一般在低頻耦合或旁路,電氣特性要求較低時,可選用紙介、滌綸電容器;在高頻高壓電路中,應選用云母電容器或瓷介電容器;在電源濾波和退耦電路中,可選用電解電容器。 2. 在振蕩電路、延時電路、音調電路中,電容器容量應盡可能與計算值一致。在各種濾波及網(選頻網絡),電容器容量要求精確;在退耦電路、低頻耦合電路中,對同兩級精度的要求不太嚴格。 3. 電容器額定電壓應高于實際工作電壓,并要有足夠的余地,一般選用耐壓值為實際工作電壓兩倍以上的電容器。 4. 優先選用絕緣電阻高,損耗小的電容器,還要注意使用環境。 我們知道,一般我們所用的電容最重要的一點就是濾波和旁路,我在設計中也正是這么使用的。 對于高頻雜波,一般我的經驗是不要過大的電容,因為我個人認為,過大的電容雖然對于低頻的雜波過濾效果也許比較好,但是對于高頻的雜波,由于其諧振頻率的下降,使得對于高頻雜波的過濾效果不很理想。所以電容的選擇不是容量越大越好。 疑問點: 1. 以上都是我的經驗,沒有理論證實,希望哪位可以在理論在幫忙解釋一下是否正確。或者推薦一個網頁或者網站。 2. 是不是超過了諧振頻率,其阻抗將大大增加,所以對高頻的過濾信號,其作用就相對減小了呢? 3. 理想的濾波點是不是在諧振頻率這點上???(沒有搞懂中) 4. 以前只知道電容的旁路作用是隔直通交,現在具體于PCB 設計中,電容的這一旁路作用具體體現在哪里? 在 用電容抑制電磁騷擾時,最容易忽視的問題就是電容引線對濾波效果的影響。電容器的容抗與頻率成反比,正是利用這一特性,將電容并聯在信號線與地線之間起到 對高頻噪聲的旁路作用。然而,在實際工程中,很多人發現這種方法并不能起到預期濾除噪聲的效果,面對頑固的電磁噪聲束手無策。出現這種情況的一個原因是忽 略了電容引線對旁路效果的影響。 實際電容器的電路模型是由等效電感(ESL)、電容和等效電阻(ESR)構成的串聯網絡。理想電容的阻抗 是隨著頻率的升高降低,而實際電容的阻抗是圖 1 所示的網絡的阻抗特性,在頻率較低的時候,呈現電容特性,即阻抗隨頻率的增加而降低,在某一點發生諧振,在這點電容的阻抗等于等效串聯電阻 ESR。在諧振點以上,由于 ESL 的作用,電容阻抗隨著頻率的升高而增加,這是電容呈現電感的阻抗特性。在諧振點以上,由于電容的阻抗增加,因此對高頻噪聲的旁路作用減弱,甚至消失。 電 容的諧振頻率由 ESL 和 C 共同決定,電容值或電感值越大,則諧振頻率越低,也就是電容的高頻濾波效果越差。ESL 除了與電容器的種類有關外,電容的引線長度是一個十分重要的參數,引線越長,則電感越大,電容的諧振頻率越低。因此在實際工程中,要使電容器的引線盡量 短。 根據 LC 電路串聯諧振的原理,諧振點不僅與電感有關,還與電容值有關,電容越大,諧振點越低。許多人認為電容器的容值越大,濾波效果越好,這是一種誤解。電容越大 對低頻干擾的旁路效果雖然好,但是由于電容在較低的頻率發生了諧振,阻抗開始隨頻率的升高而增加,因此對高頻噪聲的旁路效果變差。表 1 是不同容量瓷片電容器的自諧振頻率,電容的引線長度是1.6mm(你使用的電容的引線有這么短嗎?)。表 1 電容值自諧振頻率(MHz) 電容值自諧振頻率(MHz)1m F 1.7 820 pF 38.50.1m F 4 680 pF 42.50.01m F 12.6 560 pF 453300pF 19.3 470 pF 491800 pF 25.5 390 pF 541100pF 33 330 pF 60 盡管從濾除高頻噪聲的角度看,電容的諧振是不希望的,但是電容的諧振并不是總是有害的。當要濾除的噪聲頻率 確定時,可以通過調整電容的容量,使諧振點剛好落在騷擾頻率上。 一 般來說,容量為uf 級的電容,象電解電容或鉭電容,他的電感較大,諧振頻率較小,對低頻信號通過較好,而對高頻信號,表現出較強的電感性,阻抗較大,同時,大電容還可以起到 局部電荷池的作用,可以減少局部的干擾通過電源耦合出去;容量為0.001~0.1uf 的電容,一般為陶瓷電容或云母電容,電感小,諧振頻率高,對高頻信號的阻抗較小,可以為高頻干擾信號提供一條旁路,減少外界對該局部的耦合干擾在電子電路 中,去耦電容和旁路電容都是起到抗干擾的作用,電容所處的位置不同,稱呼就不一樣了。 對于同一個電路來說,旁路(bypass)電容是把輸入信號中的高頻噪聲作為濾除對象,把前級攜帶的高頻雜波濾除,而去耦(decoupling,也稱退耦)電容是把輸出信號的干擾作為濾除對象。 在 供電電源和地之間也經常連接去耦電容,它有三個方面的作用:一是作為本集成電路的蓄能電容;二是濾除該器件產生的高頻噪聲,切斷其通過供電回路進行傳播的 通路;三是防止電源攜帶的噪聲對電路構成干擾。我來總結一下,旁路實際上就是給高頻干擾提供一個到地的能量釋放途徑,不同的容值可以針對不同的頻率干擾。 所以一般旁路時常用一個大貼片加上一個小貼片并聯使用。對于相同容量的電容的Q 值我認為會影響旁路時高頻干擾釋放路徑的阻抗,直接影響旁路的效果,對于旁路來說,希望在旁路作用時,電容的等效阻抗越小越好,這樣更利于能量的排泄。 數字電路輸出信號電平轉換過程中會產生很大的沖擊電流,在供電線和電源內阻上產生較大的壓降,使供電電壓產生跳變,產生阻抗噪聲(亦稱開關噪聲),形成干擾源。 一、沖擊電流的產生: (1)輸出級控制正負邏輯輸出的管子短時間同時導通,產生瞬態尖峰電流 (2)受負載電容影響,輸出邏輯由“0”轉換至“1”時,由于對負載電容的充電而產生瞬態尖峰電流。瞬態尖峰電流可達50ma,動作時間大約幾ns 至幾十ns。 二、降低沖擊電流影響的措施: (1)降低供電電源內阻和供電線阻抗 (2)匹配去耦電容 三、何為去耦電容 在IC(或電路)電源線端和地線端加接的電容稱為去耦電容。 四、去耦電容如何取值 去耦電容取值一般為0.01~0.1uf,頻率越高,去耦電容值越小。 五、去耦電容的種類 (1)獨石 (2)玻璃釉 (3)瓷片 (4)鉭 六、去耦電容的放置
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