??近二十年來，電子工業(yè)以驚人的速度發(fā)展。新技術(shù)的進(jìn)步在減小設(shè)備尺寸的同時(shí)，也加大了分立元件制造商開發(fā)理想性能器件的壓力。 ??在這些器件中，晶片電阻當(dāng)前始終保持很高的需求，并且是許多電路的基礎(chǔ)構(gòu)件。它們的空間利用率優(yōu)于分立式封裝電阻，減少了組裝前期準(zhǔn)備的工作量。隨著應(yīng)用的普及，晶片電阻具有越來越重要的作用。主要參數(shù)包括 ESD 保護(hù)、熱電動(dòng)勢(shì) （EMF）、電阻熱系數(shù) （TCR）、自熱性、長期穩(wěn)定性、功率系數(shù)和噪聲等。 ??以下技術(shù)對(duì)比中將討論線繞電阻在精密電路中的應(yīng)用。不過請(qǐng)注意，線繞電阻沒有晶片型，因此，受重量和尺寸限制需要采用精密晶片電阻的應(yīng)用不使用這種電阻。 ??盡管升級(jí)每個(gè)組件或子系統(tǒng)可以提高整體性能，但整體性能仍是由組件鏈中的短板決定的。系統(tǒng)中的每個(gè)組件都具有關(guān)系到整體性能的內(nèi)在優(yōu)缺點(diǎn)，特別是短期和長期穩(wěn)定性、頻響和噪聲等問題。分立式電阻行業(yè)在線繞電阻、厚膜電阻、薄膜電阻和金屬箔電阻技術(shù)方面取得了進(jìn)步，而從單位性能成本考慮，每種電阻都有許多需要加以權(quán)衡的因素。 ??各種電阻技術(shù)的優(yōu)缺點(diǎn)如表1所示，表中給出了熱應(yīng)力和機(jī)械應(yīng)力對(duì)電阻電氣特性的影響。 ?? ??表1： 不同類型電阻的特性。 ??應(yīng)力（無論機(jī)械應(yīng)力還是熱應(yīng)力）會(huì)造成電阻電氣參數(shù)改變。當(dāng)形狀、長度、幾何結(jié)構(gòu)、配置或模塊化結(jié)構(gòu)受機(jī)械或其他方面因素影響發(fā)生變化時(shí)，電氣參數(shù)也會(huì)發(fā)生變化，這種變化可用基本方程式來表示：R = ρ L/A，式中 ??R = 電阻值，以歐姆為單位， ??ρ = 材料電阻率，以歐姆米為單位， ??L = 電阻元件長度，以米為單位， ??A = 電阻元件截面積，以平方米為單位。 ??電流通過電阻元件時(shí)產(chǎn)生熱量，熱反應(yīng)會(huì)使器件的每種材料發(fā)生膨脹或收縮機(jī)械變化。環(huán)境溫度條件也會(huì)產(chǎn)生同樣的結(jié)果。因此，理想的電阻元件應(yīng)能夠根據(jù)這些自然現(xiàn)象進(jìn)行自我平衡，在電阻加工過程中保持物理一致性，使用過程中不必進(jìn)行熱效應(yīng)或應(yīng)力效應(yīng)補(bǔ)償，從而提高系統(tǒng)穩(wěn)定性。 ??精密線繞電阻 ??線繞電阻一般分為“功率線繞電阻”和“精密線繞電阻”。功率線繞電阻使用過程中會(huì)發(fā)生很大變化，不適于精密度要求很高的情況下使用。因此，本討論不考慮這種電阻。 ??線繞電阻的制作方法一般是將絕緣電阻絲纏繞在特定直徑的線軸上。不同線徑、長度和合金材料可以達(dá)到所需電阻和初始特性。精密線繞電阻 ESD 穩(wěn)定性更高，噪聲低于薄膜或厚膜電阻。線繞電阻還具有 TCR 低、穩(wěn)定性高的特點(diǎn)。 ??線繞電阻初始誤差可以低至 ± 0.005 %。TCR （溫度每變化一攝氏度，電阻的變化量） 可以達(dá)到 3 ppm/°C典型值。不過，降低電阻值，線繞電阻一般在15 ppm/°C 到 25 ppm/°C。熱噪聲降低，TCR 在限定溫度范圍內(nèi)可以達(dá)到 ± 2 ppm/°C 。 ??線繞電阻加工過程中，電阻絲內(nèi)表面 （靠近線軸一側(cè)） 收縮，而外表面拉伸。這道工藝產(chǎn)生永久變形 — 相對(duì)于彈性變形或可逆變形，必須對(duì)電阻絲進(jìn)行退火。永久性機(jī)械變化 （不可預(yù)測(cè)） 會(huì)造成電阻絲和電阻電氣參數(shù)任意變化。因此，電阻元件電性能參數(shù)存在很大的不確定性。 ??由于線圈結(jié)構(gòu)，線繞電阻成為電感器，圈數(shù)附近會(huì)產(chǎn)生線圈間電容。為提高使用中的響應(yīng)速度，可以采用特殊工藝降低電感。不過，這會(huì)增加成本，而且降低電感的效果有限。由于設(shè)計(jì)中存在的電感和電容，線繞電阻高頻特性差，特別是 50 kHz 以上頻率。 ??兩個(gè)額定電阻值相同的線繞電阻，彼此之間很難保證特定溫度范圍內(nèi)精確的一致性，電阻值不同，或尺寸不同時(shí)更為困難 （例如，滿足不同的功率要求）。這種難度會(huì)隨著電阻值差異的增加進(jìn)一步加劇。以1-kΩ 電阻相對(duì)于100-kΩ電阻為例，這種不一致性是由于直徑、長度，并有可能由于電阻絲使用的合金不同造成的。而且，電阻芯以及每英寸圈數(shù)也不同—機(jī)械特性對(duì)電氣特性的影響也不一樣。由于不同的電阻值具有不同的熱機(jī)特性，因此它們的工作穩(wěn)定性不一樣，設(shè)計(jì)的電阻比在設(shè)備生命周期中會(huì)發(fā)生很大變化。TCR 特性和比率對(duì)于高精度電路極為重要。 ??傳統(tǒng)線繞電阻加工方法不能消除纏繞、封裝、插入和引線成型工藝中產(chǎn)生的各種應(yīng)力。固定過程中，軸向引線往往采用拉緊工藝，通過機(jī)械力加壓封裝。這兩種方法會(huì)改變電阻，無論加電或不加電。從長期角度看，由于電阻絲調(diào)整為新的形狀，線繞元件會(huì)發(fā)生物理變化。 ??薄膜電阻 ??薄膜電阻由陶瓷基片上厚度為 50 ？ 至 250 ？ 的金屬沉積層組成 （采用真空或?yàn)R射工藝）。薄膜電阻單位面積阻值高于線繞電阻或 Bulk Metal？ 金屬箔電阻，而且更為便宜。在需要高阻值而精度要求為中等水平時(shí)，薄膜電阻更為經(jīng)濟(jì)并節(jié)省空間。 ??它們具有最佳溫度敏感沉積層厚度，但最佳薄膜厚度產(chǎn)生的電阻值嚴(yán)重限制了可能的電阻值范圍。因此，采用各種沉積層厚度可以實(shí)現(xiàn)不同的電阻值范圍。薄膜電阻的穩(wěn)定性受溫度上升的影響。薄膜電阻穩(wěn)定性的老化過程因?qū)崿F(xiàn)不同電阻值所需的薄膜厚度而不同，因此在整個(gè)電阻范圍內(nèi)是可變的。這種化學(xué)/機(jī)械老化還包括電阻合金的高溫氧化。此外，改變最佳薄膜厚度還會(huì)嚴(yán)重影響 TCR。由于較薄的沉積層更容易氧化，因此高阻值薄膜電阻退化率非常高。 ??由于金屬量少，薄膜電阻在潮濕的條件下極易自蝕。浸入封裝過程中，水蒸汽會(huì)帶入雜質(zhì)，產(chǎn)生的化學(xué)腐蝕會(huì)在低壓直流應(yīng)用幾小時(shí)內(nèi)造成薄膜電阻開路。改變最佳薄膜厚度會(huì)嚴(yán)重影響 TCR。由于較薄的沉積層更容易氧化，因此高阻值薄膜電阻退化率非常高。 ??厚膜電阻 ??如前所述，受尺寸、體積和重量的影響，線繞電阻不可能采用晶片型。盡管精度低于線繞電阻，但由于具有更高的電阻密度 （高阻值/小尺寸） 且成本更低，厚膜電阻得到廣泛使用。與薄膜電阻和金屬箔電阻一樣，厚膜電阻頻響速度快，但在目前使用的電阻技術(shù)中，其噪聲最高。雖然精度低于其他技術(shù)，但我們之所以在此討論厚膜電阻技術(shù)，是由于其廣泛應(yīng)用于幾乎每一種電路，包括高精密電路中精度要求不高的部分。 ??厚膜電阻依靠玻璃基體中粒子間的接觸形成電阻。這些觸點(diǎn)構(gòu)成完整電阻，但工作中的熱應(yīng)變會(huì)中斷接觸。由于大部分情況下并聯(lián)，厚膜電阻不會(huì)開路，但阻值會(huì)隨著時(shí)間和溫度持續(xù)增加。因此，與其他電阻技術(shù)相比，厚膜電阻穩(wěn)定性差 （時(shí)間、溫度和功率）。 ??由于結(jié)構(gòu)中成串的電荷運(yùn)動(dòng)，粒狀結(jié)構(gòu)還會(huì)使厚膜電阻產(chǎn)生很高的噪聲。給定尺寸下，電阻值越高，金屬成份越少，噪聲越高，穩(wěn)定性越差。厚膜電阻結(jié)構(gòu)中的玻璃成分在電阻加工過程中形成玻璃相保護(hù)層，因此厚膜電阻的抗?jié)裥愿哂诒∧る娮琛? ??金屬箔電阻 ??將具有已知和可控特性的特種金屬箔片敷在特殊陶瓷基片上，形成熱機(jī)平衡力對(duì)于電阻成型是十分重要的。然后，采用超精密工藝光刻電阻電路。這種工藝將低 TCR、長期穩(wěn)定性、無感抗、無 ESD 感應(yīng)、低電容、快速熱穩(wěn)定性和低噪聲等重要特性結(jié)合在一種電阻技術(shù)中。 ??這些功能有助于提高系統(tǒng)穩(wěn)定性和可靠性，精度、穩(wěn)定性和速度之間不必相互妥協(xié)。為獲得精確電阻值，大金屬箔晶片電阻可通過有選擇地消除內(nèi)在“短板”進(jìn)行修整。當(dāng)需要按已知增量加大電阻時(shí)，可以切割標(biāo)記的區(qū)域 （圖2），逐步少量提高電阻。 ?? ??圖2 ??合金特性及其與基片之間的熱機(jī)平衡力形成的標(biāo)準(zhǔn)溫度系數(shù)，在0 °C 至 + 60 °C 范圍內(nèi)為 ± 1 ppm/°C （Z 箔為0.05 ppm/°C） （圖3）。 ?? ??圖3 ??采用平箔時(shí)，并聯(lián)可降低阻抗，電阻最大總阻抗為 0.08 uH。最大電容為 0.05 pF。1-kΩ 電阻設(shè)置時(shí)間在 100 MHZ以下小于 1 ns。上升時(shí)間取決于電阻值，但較高和較低電阻值相對(duì)于中間值僅略有下降。沒有振鈴噪聲對(duì)于高速切換電路是十分重要的，例如信號(hào)轉(zhuǎn)換。 ??100 MHZ 頻率下，1-kΩ 大金屬箔電阻直流電阻與其交流電阻的對(duì)比可用以下公式表示： ??交流電阻/直流電阻 = 1.001 ?? ??圖4： 大金屬箔電阻結(jié)構(gòu)。 ??金屬箔技術(shù)全面組合了高度理想的、過去達(dá)不到的電阻特性，包括低溫度系數(shù)（0 °C 至 + 60 °C 為 0.05 ppm/°C），誤差達(dá)到 ± 0.005 % （采用密封時(shí)低至 ± 0.001 %），負(fù)載壽命穩(wěn)定性在 70 °C，額定加電2000小時(shí)的情況下達(dá)到 ± 0.005 % （50 ppm），電阻間一致性在 0 °C 至 + 60 °C 時(shí)為 0.1 ppm/°C，抗 ESD 高達(dá) 25 kV。