開車的朋友可能會有這樣的經(jīng)歷，當(dāng)您經(jīng)過高速公里收費站時，您的交通收費卡在進站和出站時偶爾會無法讀取，原因是您的交通卡使用的頻率比較高，超過了它的讀寫次數(shù)。目前，這些交通卡大部分是采用內(nèi)嵌EEPROM的RFID制作的，而如果將智能交通卡中的EEPROM換成FRAM，問題就迎刃而解了。 “采用FRAM 的RFID的讀寫次數(shù)可以達到1012，而采用EEPROM 的RFID的讀寫次數(shù)最多只有一百萬次，這就是為何高速收費處偶爾會出現(xiàn)數(shù)據(jù)讀不出的問題。”富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司市場部高級經(jīng)理蔡振宇指出：“在RFID中嵌入FRAM，能夠打破傳統(tǒng)采用EEPROM的RFID標(biāo)簽的一系列性能限制，解決很多應(yīng)用難題。” 在RFID中嵌入FRAM，實現(xiàn)突破性優(yōu)勢富士通半導(dǎo)體內(nèi)嵌FRAM的RFID產(chǎn)品相比其單體FRAM產(chǎn)品是比較新的，而市場上常用的RFID產(chǎn)品嵌入的是EEPROM。與內(nèi)嵌EEPROM的RFID產(chǎn)品相比，內(nèi)嵌FRAM的RFID不只讀寫速度快很多，并且其抗輻射性比EEPROM高出不止一個數(shù)量級。下圖1所示為FRAM RFID 和EEPROM RFID的性能對比。

　　FRAM是一種非易失性存儲器，使用鐵電材料作為數(shù)據(jù)載體，結(jié)合了隨機存儲器（RAM）和只讀存儲器（ROM）的優(yōu)勢。作為用在 RFID中的非易失性存儲器，EEPROM已經(jīng)得到廣泛應(yīng)用，但是當(dāng)數(shù)據(jù)被寫入時，EEPROM需要內(nèi)部升壓電壓，因為數(shù)據(jù)存儲的原則就是要看是否帶有電子電荷，所以它的寫入速度較慢慢（需要數(shù)毫秒），耐擦寫次數(shù)也僅限于10萬次左右。因此，大部分基于EEPROM的RFID都是小存儲容量產(chǎn)品，只適合讀，不適合寫。比較而言，F(xiàn)RAM RFID數(shù)據(jù)寫入時間非常快。例如，以寫入數(shù)據(jù)為例，采用EEPROM的RFID需要有6msec的時間來等待回應(yīng)，而采用FRAM的RFID僅需要100usec。并且，F(xiàn)RAM在寫和讀方面的性能一樣好，因為二者的原則一樣。 FRAM的另一個主要特點，就是在防輻射方面明顯優(yōu)于EEPROM。例如，在醫(yī)療設(shè)備和包裝、食品或者亞麻布的伽瑪射線滅菌過程中，存在于EEPROM中的數(shù)據(jù)會受到放射線的嚴(yán)重影響，因為它的數(shù)據(jù)存儲采用的是電子電荷。而存在于FRAM中的數(shù)據(jù)在高放射水平下仍然不會受到影響。