有源相控陣天線設(shè)計(jì)的核心是T/R組件。T/R組件設(shè)計(jì)考慮的主要因素有：不同形式集成電路的個(gè)數(shù)，功率輸出的高低，接收的噪聲系數(shù)大小，幅度和相位控制的精度。同時(shí)，輻射單元陣列形式的設(shè)計(jì)也至關(guān)重要。

　　1、芯片設(shè)計(jì)

　　理想情況下，所有模塊的電路需要集成到一個(gè)芯片上，在過去的幾十年，大家也都在為這個(gè)目標(biāo)而努力。然而，由于系統(tǒng)對(duì)不同功能單元需求的差別，現(xiàn)有的工程技術(shù)在系統(tǒng)性能與實(shí)現(xiàn)難度上進(jìn)行了折衷的考慮，因此普遍的做法是將電路按功能進(jìn)行了分類，然后放置于不同的芯片上，再通過混合的微電路進(jìn)行連接，如圖所示。

　　一個(gè)T/R模塊的基本芯片設(shè)置包括了3個(gè)MMICs組件和1個(gè)數(shù)字大規(guī)模集成電路（VLSI），如圖所示。 · 高功率放大器（MMIC） · 低噪聲放大器加保護(hù)電路（MMIC） · 可調(diào)增益的放大器和可調(diào)移相器（MMIC） · 數(shù)字控制電路（VLSI）

　　根據(jù)不同的應(yīng)用需求，T/R模塊可能還需要其他一些電路，如預(yù)功放電路需要將輸入信號(hào)進(jìn)行放大以滿足高峰值功率需求。大多數(shù)X波段及以上頻段T/R組件都采用基于GaAs工藝的MMICs技術(shù)。該技術(shù)有個(gè)缺點(diǎn)就是熱傳導(dǎo)系數(shù)極低，因此基于GaAs 的電路需要進(jìn)行散熱設(shè)計(jì)。未來T/R組件的發(fā)展方向是基于GaN和SiGe的設(shè)計(jì)工藝。基于GaN的功率放大器可實(shí)現(xiàn)更高的峰值功率輸出，從而提升雷達(dá)的靈敏度或探測(cè)距離，輸出功率是基于GaAS工藝電路的5 倍以上。SiGe工藝雖然傳輸?shù)墓β什蝗鏕aAs，然而該材料成本較低，適用于未來低成本、低功率密度雷達(dá)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)。