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      電子發燒友網>電子資料下載>電子資料>GaN器件的潛力和介紹及減小柵極驅動環耦合噪聲技術的詳細概述

      GaN器件的潛力和介紹及減小柵極驅動環耦合噪聲技術的詳細概述

      2020-11-02 | pdf | 0.37 MB | 次下載 | 1積分

      資料介紹

      　　在過去的十多年里，行業專家和分析人士一直在預測，基于氮化鎵（GaN）功率開關器件的黃金時期即將到來。與應用廣泛的 MOSFET硅功率器件相比，基于GaN的功率器件具有更高的效率和更強的功耗處理能力。這些優勢正是當下高功耗高密度系統、服務器和計算機所需要的，可以說專家所預測的拐點已經到來！時下，多個廠商正在大量的生產GaN器件，這些GaN器件正在被應用于工業、商業甚至要求極為嚴格的汽車領域的電力和電機控制中。他們的接受度和可信度正在逐漸提高。（請注意，基于GaN的射頻功放或功放也取得了很大的成功，但與GaN器件具有不同的應用場合，超出了本文的范圍。）本文探討了GaN器件的潛力，GaN和MOSFET器件的不同，GaN驅動器件成功的關鍵并介紹了減小柵極驅動環耦合噪聲技術。為什么GaN器件得到了發展？基于硅的MOSFET器件已經取得了巨大的成功，目前，它們已經在幾十瓦到幾百瓦甚至上千瓦功率的應用場合成為了標準，如AC/DC、DC/DC以及電機驅動等領域。硅MOSFET器件已經對多個參數進行了優化，如通導通阻RDS（ON）、額定電壓、開關速度、封裝等。這些MOSFET性能的提高已經趨于穩定，因為目前的性能已經接近了物理材料的理論極限。這給氮化鎵功率器件的發展創造了條件。GaN是一種高電子遷移率晶體管（HEMT），如圖1所示。高電子遷移率晶體管意味著 GaN器件的臨界電場強度大于硅。對于相同的片上電阻和擊穿電壓，GaN的尺寸更小。GaN還具有極快的開關速度和優異的反向恢復性能，在低損耗、高效率的應用場合這一點十分重要的。600/650V等級的GaN晶體管現在已經廣泛使用，具有廣泛的應用前景。

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