近場測量探棒是在電磁兼容性（EMC）和信號完整性分析（SI）常用的設計工具，在應用方面，我們使用數(shù)值模擬和實驗分析比對了傳統(tǒng)金屬近場探棒跟新型的微光子主動近場探棒。數(shù)據(jù)顯示傳統(tǒng)探頭在近場區(qū)域很容易與待測物產(chǎn)生嚴重的影響，而微光子探棒則相對于RF電磁場幾乎是透明的。故而，使用傳統(tǒng)EMC探頭很容易導致錯誤的EMC近場測試結(jié)果并使得成本增加且耗時的重復設計。

　　傳統(tǒng)手持式EMI近場探頭這幾十年來一直都是EMC工程師用來調(diào)試的工具。此探頭最初是為在相對低的頻率下使用而開發(fā)的，而今天已經(jīng)被用于分析整個射頻（RF）領域。雖然許多研究已開始致力于使用優(yōu)化的EMC探頭用以在整個微波譜內(nèi)擁有微米級的分辨率。然而，基本原理在幾十年內(nèi)不變，意味著當探頭非常靠近被測設備（DUT）時勢必會引起的EM邊界響應。本文，我們評估并比較了傳統(tǒng)的金屬探頭與SPEAG開發(fā)的微光子TDS-SNI探頭針對于待測物產(chǎn)生的互擾影響的比對分析。

　　EMC近場探頭在使用中經(jīng)常很靠近DUT。因此探頭應接近于DUT的原始環(huán)境，防止局部電磁場分布的失真。在靠近待測物時，由于傳統(tǒng)的探頭是由大塊的導體構(gòu)成，因此會引入很強EMI邊界條件。如圖1 和圖2 所示，是從SPEAG開發(fā)的SEMCAD電磁仿真軟件進行的數(shù)值仿真中所提取出來的回波損耗（S11），包括無探棒、傳統(tǒng)探棒與電磁隔離探棒所產(chǎn)生的結(jié)果。圖二清楚的說明有3dB的偏移是因為傳統(tǒng)探頭靠近并強烈影響待測物電磁場的結(jié)果，這種影響在現(xiàn)實的測試情況下會導致錯誤檢測和曲解，我們會在后面說明。