當今的半導體世界是一個以“尺寸論英雄”的時代——先進制造工藝在數年之間迅速從16nm、10nm到7nm，今天5nm制造工藝呼之欲出——媒體報道稱iPhone 12將使用5nm。而同樣是最近，全球半導體芯片代工絕對的標桿企業臺積電更宣稱2nm工藝將在2024年投產。在摩爾定律被業界質疑將窮途末路的時候，低位納米時代卻依然發揮著神奇的魔力。但在另外一個領域，這種工藝的競爭似乎是另外一番景象——在模擬半導體制造技術上，顯然是在另外一個競爭的維度，大部分新品鮮少提及工藝，而公開提及領先工藝的，28nm工藝大概是業界當前的一個關鍵節點，特別是在射頻技術領域，又特別是模擬技術領頭羊ADI公司。該公司在前不久宣布再次推出基于其28nm CMOS的新型AD9081/2 MxFE 平臺，在該公司的新產品公告中指出該平臺允許制造商在與單頻段無線電相同的占板面積上安裝多頻段無線電，使當今4G LTE 基站的通話容量提高3 倍。事實上，ADI早在兩年前就宣布推出自動駕駛領域的技術平臺Drive360，強調了首家以先進的28nm CMOS工藝為基礎提供汽車RADAR技術的公司。而在同年5月推出28納米高速CMOS模數轉換器AD9208，瞄準下一波寬帶軟件定義系統，并同期推出瞄準4G/5G多頻段無線通信基站和2 GHz E-band微波點對點回傳平臺千兆赫茲帶寬應用的需求28納米高速數模轉換器系列 AD9172。

　　助推5G應用，28nm CMOS工藝領銜射頻創新

　　毫無疑問，射頻及微波應用當前最熱門的是5G。5G對帶寬、低功耗、小尺寸近乎苛刻的要求對傳統的前端解決方案提出了嚴峻的挑戰。與以前的小基站只支持一個頻段不同的是，在幾乎同樣的尺寸下現在的基站設備需要支持三到四個頻段。5G宏基站則采用大規模MIMO，天線密度從之前的4G時代主流的4T4R/8T8R躍升至32T32R/64T64R。事實上，ADI推出的多款28nm 創新器件就是瞄準該類應用的迫切需求。例如上文所述，AD9081/2 MxFE平臺就允許制造商在與單頻段無線電相同的占板面積上安裝多頻段無線電，使當今4G LTE 基站的通話容量提高3倍，并憑借1.2 GHz 通道帶寬，新型MxFE 平臺還支持無線運營商為其蜂窩塔增加更多天線，以滿足新興mmWave 5G 的更高無線電密度和數據速率要求。AD9081/2 MxFE 器件分別集成了8個和6個RF數據轉換器，實現了業界最寬的瞬時信號帶寬（高達2.4 GHz），減少了頻率轉換級的數量和放寬濾波器要求，從而簡化硬件設計并通過減少芯片數量來解決無線設備設計人員面臨的空間限制問題，使得印刷電路板面積縮小60%。此外，MxFE平臺能處理更多的RF頻段，并在片內嵌入了DSP功能，從而使用戶能夠配置可編程濾波器和數字上、下變頻模塊，以滿足特定無線電信號帶寬要求。與在FPGA 上執行RF 變頻和濾波的架構相比，它能節省10倍的功耗，同時釋放寶貴的處理器資源，或允許設計人員使用更具成本效益的 FPGA。 5G 毫米波無線電名義上必須處理1 GHz或可能更高的帶寬，具體取決于頻譜的實際分配方式。雖然28 GHz下的1 GHz帶寬相對較低（3.5%），但假設是3 GHz中頻下的1 GHz帶寬，那么設計起來就更具有挑戰性，并且需要某種先進技術來實現高性能設計。下圖展示了一個基于組件的高性能位到毫米波無線電的方框圖示例，構成ADI公司的寬RF和混合信號產品系列。