資料介紹
2010 年起因?yàn)閺?G 進(jìn)入3G 時(shí)代(2010~2013) ,帶動(dòng)智慧行動(dòng)裝置高速起飛,帶動(dòng)了射頻前端代工廠商業(yè)績(jī)騰飛。但是2013 后因?yàn)橛蠸i 制程的PA 高性?xún)r(jià)比的替代品出現(xiàn)(CMOS PA/MMPA) ,使得出現(xiàn)產(chǎn)業(yè)替代危機(jī)。但到了2013年后,壓抑產(chǎn)業(yè)的不利因子逐漸消失淡化(因?yàn)?a href='http://www.nxhydt.com/tags/高通/' target='_blank' class='arckwlink_none'>高通與Skyworks推出Si制程MMPA , CMOS PA , 主打高性?xún)r(jià)比策略) 。緊接著,時(shí)代潮流轉(zhuǎn)進(jìn)高頻多頻帶無(wú)線通訊后(eg 4G) , 不管是高中低階, 4G手機(jī)滲透率開(kāi)始起飛,更有利的是所需PA組件用料從以往3G的3~5顆,4G要變多到4~6顆,其他像是WIFI 11.ac ,基站的射頻模組等等也是需要多加用料。這就增長(zhǎng)了對(duì)射頻器件的需求。
由于3-5族的組件物理特性遠(yuǎn)優(yōu)于Si制程組件(低耗、體積小、放大效率佳、高頻線性度佳等等) , 故風(fēng)水轉(zhuǎn)回3-5族組件,這就讓相關(guān)的產(chǎn)業(yè)鏈廠商大放異彩。其中砷化鎵晶圓代工龍頭穩(wěn)懋就是最大的受益者。
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