圖像傳感器最為關鍵的規格是像素尺寸，像素尺寸越大則進光量越大，在相同時間里可以承載更多光線能量，便可以更明顯的提升畫質，更真實的還原影像場景。而數字相機， 監控和手機所采用圖像傳感器的素像尺寸是不一樣。通常數字相機、監控使用大尺寸像素的圖像傳感器，但像素尺寸增大則圖像傳感器面積會大幅增加，攝像頭模塊體積也相對增大，模塊高度增加，功耗大幅增加，發熱量增加等問題產生，這樣的變化在監控固然可以接受，但放在追求便于攜帶的手機等手持式應用上是不太合適。實際上，即便是一些不喜歡采用高像素攝像頭的手機制造商，像素阱加深也是趨勢。不過一旦像素阱變深了，那么臨近像素之間就更容易產生串擾。目前手機 CIS 解決串擾問題的技術焦點就在深槽隔離技術（DTI）上，即在每個像素阱之間加入隔斷、避免串擾。

　　普及一下 DTI 的機制：

　　一般來說不具備 DTI 像素隔離技術的圖像傳感器在手機照相時，隨著像素變得越來越小，像素之間會發生彼此之間抗干擾能力減弱，造成錯誤的感應光源顏色，這個現象被稱為串擾（crosstalk），光電二極管會將光能部分轉化成為細微的電流，而這些電流有時會出現在不該出現的地方，造成干擾而影響影像的色彩。DTI 像素隔離技術簡單說就是在像素之間建立『隔離墻』增加光線利用率降低干擾，提升抗噪能力和顏色純凈度，讓影像的色彩表現更加出色。如下圖，Si-SiO2 界面可用作隔離墻阻止電子擴散，降低串擾；Si-SiO2 組成了類波導結構，將光線限制在硅中，實現了光學隔離，并且延長光在硅中的光程，提高量子效率、降低串擾。與前兩種解決方案相比，DTI 結構的隔離效果最為顯著。另外，溝槽越深，DTI 的隔離性越好，串擾越小。由下圖結果知，DIT 的深度一般要超過 4μm。

　　那么為什么 DTI 對小像素性能如此重要？

　　下圖說明了縮放后，像素的主要問題，包括保持可接受的光電二極管滿井容量（FWC）和抑制串擾。通過增加活性硅的厚度可以解決滿井容量大小 FWC 問題;然而，如果沒有高性能的 DTI 結構，串擾問題將是一個限制因素。從概念上講，DTI 結構很容易理解。這些可以在來自前面的工藝流（前面 DTI 或 F-DTI）的較早的過程流中實現，或者在活性 Si 稀釋工藝（后面 DTI 或 B-DTI）之后的較晚的過程流中實現。這兩種策略現在都在大量生產中，并且都需要仔細的開發來緩解 DTI 蝕刻工藝產生的暗電流問題。