資料介紹
通過雙脈沖測試評估 MOSFET 的反向恢復(fù)特性我們開設(shè)了 Si 功率元器件的新篇章——“評估篇”。在“通過雙脈沖測試評估 MOSFET 的反向恢復(fù)特性”中,我們將通過雙脈沖測試來評估 MOSFET 體二極管的反向恢復(fù)特性,并確認(rèn) MOSFET 損耗情況。
1 MOSFET 體二極管的反向恢復(fù)特性與橋式電路損耗的關(guān)系在逆變器電路和 Totem Pole 型功率因數(shù)改善(PFC)電路等具有 2 個以上 MOSFET 的橋式電路中,由于流過上下橋臂的電流會使導(dǎo)通損耗增加。該現(xiàn)象受開關(guān) MOSFET 和對應(yīng)橋臂 MOSFET 的體二極管(寄生二極管)的反向恢復(fù)特性影響很大。因此,在橋式電路中,體二極管反向恢復(fù)特性優(yōu)異的 MOSFET 優(yōu)勢明顯。
2 什么是雙脈沖測試?雙脈沖測試是廣泛應(yīng)用于 MOSFET 和 IGBT 等功率開關(guān)元件特性評估的一種測試方法。該測試不僅可以評估對象元件的開關(guān)特性,還可以評估體二極管和 IGBT 一同使用的快速恢復(fù)二極管(FRD)等的反向恢復(fù)特性。因此,對導(dǎo)通時(shí)發(fā)生反向恢復(fù)特性引起損耗的電路的評估非常有效。雙脈沖測試的基本電路圖如下所示。
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