ROHM 最近推出了 SiC MOSFET 的新系列產(chǎn)品“SCT3xxx xR 系列”。SCT3xxx xR 系列采用最新的溝槽柵極結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步降低了導(dǎo)通電阻；同時(shí)通過(guò)采用單獨(dú)設(shè)置柵極驅(qū)動(dòng)器用源極引腳的 4 引腳封裝，改善了開(kāi)關(guān)特性，使開(kāi)關(guān)損耗可以降低 35%左右。此次，針對(duì) SiC MOSFET 采用 4 引腳封裝的原因及其效果等議題，我們采訪了 ROHM 株式會(huì)社的應(yīng)用工程師。關(guān)于 SiC MOSFET 的 SCT3xxx xR 系列，除了導(dǎo)通電阻很低，還通過(guò)采用 4 引腳封裝使開(kāi)關(guān)損耗降低了 35%，對(duì)此我們非常感興趣。此次，想請(qǐng)您以 4 引腳封裝為重點(diǎn)介紹一下該產(chǎn)品。首先，請(qǐng)您大致講一下 4 引腳封裝具體是怎樣的封裝，采用這種封裝的背景和目的是什么。首先，采用 4 引腳封裝是為了改善 SiC MOSFET 的開(kāi)關(guān)損耗。包括 SiC MOSFET 在內(nèi)的電源開(kāi)關(guān)用 MOSFET 和 IGBT，被作為開(kāi)關(guān)元件廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電源線路中。必須盡可能地降低這種開(kāi)關(guān)元件產(chǎn)生的開(kāi)關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗，但不同的應(yīng)用，其降低損耗的方法也不盡相同。作為其中的一種手法，近年來(lái)發(fā)布了一種 4 引腳的新型封裝，即在 MOSFET 的源極、漏極、柵極三個(gè)引腳之外，另外設(shè)置了驅(qū)動(dòng)器源極引腳。此次的 SCT3xxx xR 系列，旨在通過(guò)采用最新的溝槽柵極結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)更低的導(dǎo)通電阻和傳導(dǎo)損耗；通過(guò)采用 4 引腳封裝，進(jìn)一步發(fā)揮出 SiC 本身具有的高速開(kāi)關(guān)性能，并降低開(kāi)關(guān)損耗。那么，我想詳細(xì)了解一下剛剛您的概述中出現(xiàn)的幾個(gè)要點(diǎn)。首先，什么是“驅(qū)動(dòng)器源極引腳”？驅(qū)動(dòng)器源極引腳是應(yīng)用了開(kāi)爾文連接原理的源極引腳。開(kāi)爾文連接是通過(guò)電阻測(cè)量中的 4 個(gè)引腳或四線檢測(cè)方式，在電流路徑基礎(chǔ)上加上兩條測(cè)量電壓的線路，以極力消除微小電阻測(cè)量或大電流條件下測(cè)量時(shí)不可忽略的線纜電阻和接觸電阻的影響的方法，是一種廣為人知的方法。這種 4 引腳封裝僅限源極，通過(guò)使連接?xùn)艠O驅(qū)動(dòng)電路返回線的源極電壓引腳與流過(guò)大電流的電源源極引腳獨(dú)立，來(lái)消除 ID 對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電路的影響。