隨著無鉛技術(shù)在全球的推廣，NV-SRAM 成為 NVRAM 的普遍選擇。本篇文章主要介紹了 NV-SRAM 與電池供電 SRAM（BBSRAM）相比所具有的優(yōu)點(diǎn)。

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BBSRAM 是什么？
BBSRAM 又稱 BatRAM，它是嵌入式單封裝中多個芯片和電池元件的組合。電池可以集成在封裝中，同集成在塑料 DIPS 中相似。還可以將該電池安裝在封裝頂層上，然后機(jī)械地添加一個類似于 SOIC 中使用的上蓋。按照訪問其他 SRAM 的方式訪問 BBSRAM。當(dāng)供電電壓（VCC）低于指定電壓電平時，內(nèi)部電池將被打開以維持存儲器中的內(nèi)容，直到 VCC 返回到有效條件為止。

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NV-SRAM 是什么？
賽普拉斯 NV-SRAM 是一種快速靜態(tài) RAM（SRAM），且每個存儲器單元中都包含非易失性單元。采用 SONOS 技術(shù)，可以將嵌入式非易失性單元制造成世界上最可靠的非易失性存儲器。SRAM 能夠?qū)崿F(xiàn)無限次的讀寫周期，同時獨(dú)立的非易失性數(shù)據(jù)則被存儲在高度可靠的 SONOS 單元內(nèi)。斷電時通過使用 VCAP 引腳上連接的小型電容上保存的電荷，將數(shù)據(jù)從 SRAM 中自動轉(zhuǎn)移到非易失性單元中（自動存儲操作）。加電時數(shù)據(jù)會從非易失性存儲器單元重新存儲到 SRAM 內(nèi)（加電回讀操作）。“存儲”和“回讀”操作也可以在軟件控制下執(zhí)行。

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NV-SRAM 的優(yōu)點(diǎn)
同一個多組件的解決方案相比，NV-SRAM 是一個單片解決方案，它帶有一個小型的外部電容。因此與 BBSRAM 解決方案相比，它的優(yōu)點(diǎn)更多