許多雷達系統(tǒng)要求低相位噪聲以最大限度抑制雜波。高性能雷達需要特別關注相位噪聲，導致在降低頻率合成器的相位噪聲和表征頻率合成器部件的相位噪聲方面投入了大量的設計資源。

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大家知道，為實現(xiàn)低相位噪聲性能，尤其是超低相位噪聲性能，必須使用低噪聲電源才能達到最佳性能。但文獻上沒有詳細說明如何通過一種系統(tǒng)化方法來量化電源噪聲電壓電平對相位噪聲的影響。本文旨在改變這種狀況。

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本文提出了電源調(diào)制比(PSMR)理論，用來衡量電源缺陷如何被調(diào)制到 RF 載波上。通過電源噪聲對 RF 放大器相位噪聲的貢獻來驗證這一理論；測量結(jié)果表明，可以計算并且相當準確地預測該貢獻。基于此結(jié)果，本文還討論了描述電源特性的系統(tǒng)化方法。

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導言和定義

電源調(diào)制比與眾所周知的電源抑制比(PSRR)相似，但有一個關鍵不同點。PSRR 衡量電源缺陷直接耦合到器件輸出的程度。PSMR 衡量電源缺陷（紋波和噪聲）如何被調(diào)制到 RF 載波上