??一 引言 ? ??DC-DC轉換器的效率和功率損耗是許多電子系統的一個重要特征參數。可以測量出這些特征參數，并用下面的直觀方式進行表達： ??效率 = 輸出功率 / 輸入功率 （1） ??功率損耗 = 輸入功率-輸出功率 （2） ??但是對于每個元器件做為一個單獨熱源在損耗中所占的比重，這樣的結果沒有提供任何信息。而我們的方法學能讓設計者更好地選擇針對其應用的最佳DC-DC實現方案。 ? ??二 降壓轉換器的實例 ? ??降壓轉換器中的主要熱源是高邊MOSFET、低邊MOSFET和電感器。如果我們使用電工學方法來判定高邊MOSFET的功率損耗，那么就必須測量漏極電流、漏源電壓、柵極電流和柵源電壓。不幸的是，如果不在電流路徑中引入額外的電感和干擾電路的正常工作，要在高頻DC-DC轉換器中測得這些數據是非常困難的。但借助熱成像攝像機，我們研究出一種求解每個熱源功率損耗的新方法，而且不會影響電路的工作。 ? ??三 新方法的基本原理 ? ??在一個電路中，將電能轉換為熱能的元器件是熱源。能量轉換成熱會增加熱源器件的和周圍環境的溫度。轉變成熱的能量就是元器件的功率損耗。整個溫升（？T）取決于功率損耗（P）和環境。對于一個在固定測試臺上的某塊PCB板，？T是功率損耗的唯一函數。因此，如果我們測量出？T，就可以推導計算每個熱源功率損耗的方法。 ? ??四 基本原理的推導 ? ??為簡單起見，假設在PCB板上有兩個熱源（HS1和HS2）。HS1工作時不但使其自身的表面溫度會升高，也會提高HS2的表面溫度，對HS2來說也是如此。因此，每個熱源的最終？T可以用下面的等式來表示。 ? ? ??Sij （i， j = 1，2）是熱敏感度系數，與熱阻的度數相同 ??Pi是每個熱源的功率損耗 ??等式（3）也可以擴展到N個熱源的情況。在這種情況下，每個熱源的溫升可以由下式給出。 ? ? ??S是一個N x N的矩陣 ??如果我們知道S的數值，就可以由下式得到每個熱源的功率損耗。 ? ? ??假設Sij與溫度或電路的工作狀態無關，那么就可以由等式6確定每個Sij。 ? ? ??這里，DTi是第i個熱源的溫升，Pj是第j個熱源消耗的功率。所有其他器件都不起作用。 ??每次我們都使用簡單的直流技術給一個熱源供電，這樣就可以以非侵入式方式測量熱敏感度的系數。我們對被測器件（IC，MOSFET和電感器）施加直流電壓和電流，迫使器件開始消耗能量，然后測出Pj。然后我們使用熱成像攝像機測量表面溫度的？Ti，接著就可以用上面的等式（6）計算出Sij。 ??我們使用了新的方法學計算兩個降壓拓撲的主熱源：一個使用SiC739D8 DrMOS IC的集成式功率級，和一個使用兩個MOSFET的分立式功率級，在分立式功率級中，Si7382DP在高邊，Si7192DP在低邊。 ??A.集成式降壓轉換器 ? ??圖1