相較于先前使用的硅晶體管，氮化鎵（GaN）可以讓全新的電源應用在同等電壓條件下，以更高的開關頻率運行。這意味著在相同條件下，相比基于硅材料的解決方案，GaN可實現更高的效率。 隨著TI發布的LMG5200全集成式原型機的推出，工程師能夠輕松將GaN技術設計到電源解決方案中，從而進一步突破常規功率密度預期的限值。基于數十年的電源測試專業知識，TI已對GaN進行了數百萬小時的加速測試，并建立了一個能夠實現基于GaN電源設計的生態系統。 GaN將在功率密集的應用中大展拳腳，它能夠在保持或提升效率的同時，使電源更小巧。目前，GaN被設計用于電子電源，將電力在交流和直流形式之間進行轉換，改變電壓電平并執行多種功能，以確保清潔電力的可用性。對于某些產品來說，GaN與性能直接相關，它所發揮的作用取決于不同的應用。 這種技術能夠對您插入到墻上的電源插座中的任何設備起到正面作用，例如個人電腦適配器、音頻/視頻接收器和數字電視。插墻式適配器占用了很多空間且不太美觀，而它們因發熱所浪費的電量也不可小覷。GaN可以在很大程度上緩解這些問題，并節省電費。 在音頻應用中，性能會被無意中傳入音頻信號的電噪聲所影響。GaN擁有較低電容，可通過最大程度地減小寄生振蕩以及優化轉換次數，以將失真降到最低，從而有助于將噪音減到最小。 在數據中心和服務器中，GaN減少了為云端供電的電源損耗。此外，GaN能夠縮小電源解決方案尺寸，從而騰出空間供更多處理器、存儲器或存儲使用。 對于那些網絡交換設備電信電源的客戶而言，他們也有著同樣的顧慮。目前行業發展的趨勢是研發全新的更高電壓架構以降低配電損耗，并充分利用GaN實現一步轉換更低的電壓；而在之前的相似的硅材料解決方案中，轉換效率并不高。例如，在基站中，客戶可以通過保持標準48伏的電壓，并將該電壓直接轉換成數字電路所需的電壓電平，來降低功率損耗。而目前常見的架構則會先將電源電壓從48伏降到12伏，然后進一步將電壓降至數字電路所需的電壓電平。因此，現在客戶可以使用更少的轉換器，從而減少功率損耗。 在未來的幾年里，GaN可以在提供更大輸出功率的同時減小適配器尺寸。隨之而來的將是便于攜帶，同時也支持更高容量電池的插墻適配器，這些大容量電池可支持更長的運行時間，以及更大/效果更佳的顯示器。 客戶將能夠在多種汽車、工業和無線充電產品領域應用TI的技術，并享受更佳的性能。TI也在與軍事和航天客戶進行接洽，探討寬溫度范圍和輻射方面的應用。 TI還將開發新型轉換器、電機驅動器和系統。 LMG5200的與眾不同之處 LMG5200原型機由一個高頻驅動器和兩個半橋配置的GaN場效應晶體管組成，采用易于使用的四方扁平無引線(QFN)封裝，并且能幫助電源設計人員迅速發揮這種材料的真正優勢。 為了給GaN創造廣闊的市場發展空間，TI致力于幫助客戶簡化這款產品的使用，并優化其性能。TI深知，TI必須另辟蹊徑。通過將GaN FET與高性能驅動器封裝在一起，TI在一個模塊中提供驚人的高性能。 TI也力求使GaN設備更加智能，并且TI一直努力讓設備變得更智能，以降低解決方案的復雜性，讓我們的客戶能夠專注于那些能夠實現最大價值的領域。因此，TI推出了LMG5200，幫助客戶輕松地將GaN融入到電源解決方案中，并充分利用GaN所具有的優勢。 這一技術的發展將永無止境，這也將幫助客戶找到創造性的方式，讓設備變得更加高效，并迫使TI換種思路考慮問題。TI將系統組件與行業專業知識很好地融合在一起，為TI在這一領域取得成功提供保障。同時，TI通過合適的封裝、高性能和可靠性驗證，加快GaN技術的推廣應用，從而為 其提供廣闊的市場發展空間。? (mbbeetchina)