MOSFET/IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)_開通關(guān)斷過程及損耗_驅(qū)動(dòng)功率計(jì)算
2023-02-23 |
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資料介紹
在PN結(jié)兩端不外加電壓時(shí),P型半導(dǎo)體區(qū)大量可自由移動(dòng)的空穴和N型半導(dǎo)體區(qū)內(nèi)的大量電子將因?yàn)闈舛炔钕驅(qū)Ψ絽^(qū)間擴(kuò)散,擴(kuò)散電流的方向?yàn)橛蒔流向N,其幅值與負(fù)濃度差成正比,之后在PN結(jié)附近P型區(qū)將出現(xiàn)由無法自由移動(dòng)的負(fù)離子組成的帶負(fù)電的區(qū)域和N型區(qū)的正離子組成的帶正電的區(qū)域,兩個(gè)區(qū)域統(tǒng)稱為空間電荷區(qū),也稱耗盡層。空間電荷區(qū)內(nèi)將出現(xiàn)由N型區(qū)指向P型區(qū)的電場(chǎng),稱為內(nèi)建電場(chǎng)。內(nèi)建電場(chǎng)對(duì)自由電子和空穴作用力形成漂移運(yùn)動(dòng),漂移電流方向?yàn)橛蒒流向P,與擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)方向相反,其幅值與擴(kuò)散電場(chǎng)的電場(chǎng)強(qiáng)度成正比。當(dāng)空間電荷區(qū)達(dá)到一定的寬度時(shí),漂移電流等于擴(kuò)散電流,流過PN結(jié)的電流為零。PN結(jié)處于動(dòng)態(tài)平衡,空間電荷區(qū)寬度穩(wěn)定,
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