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在設(shè)計(jì)電源開關(guān)系統(tǒng)(例如電機(jī)驅(qū)動(dòng)器或電源)時(shí),設(shè)計(jì)人員必須做出重要決定。什么電機(jī)或變壓器符合系統(tǒng)要求?什么是最好的MOSFET或IGBT來匹配該電機(jī)或變壓器?以及哪種柵極驅(qū)動(dòng)器 IC 最適合場效應(yīng)管?
選擇合適的柵極驅(qū)動(dòng)器來匹配 MOSFET 對(duì)于設(shè)計(jì)最佳系統(tǒng)至關(guān)重要。錯(cuò)誤的選擇會(huì)不必要地增加 MOSFET 的開關(guān)損耗,從而降低系統(tǒng)效率。但也是一個(gè)錯(cuò)誤的選擇會(huì)大大增加噪聲,可能會(huì)增加VS下沖、HO或LO尖峰,并且在極端,導(dǎo)致?lián)舸?,損壞 MOSFET 和柵極驅(qū)動(dòng)器。柵極驅(qū)動(dòng)器拉電流/灌電流和 MOSFET 總柵極電荷系統(tǒng)應(yīng)考慮柵極驅(qū)動(dòng)器的MOSFET電壓和高邊浮動(dòng)井電壓設(shè)計(jì)(兩者都要比電機(jī)電壓大20%左右以允許過沖),但最重要的是匹配柵極驅(qū)動(dòng)器和 MOSFET 的參數(shù)是柵極驅(qū)動(dòng)器源/灌電流到 MOSFET 總柵極負(fù)責(zé)。這種關(guān)系在下面的等式中可以看出:
Qg = I x t
其中Qg是MOSFET的總柵極電荷,I是柵極驅(qū)動(dòng)器的源/灌電流,t是上升和 MOSFET 的下降時(shí)間。
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