資料介紹
汽車行業(yè)目前正在經(jīng)歷一個(gè)重大的技術(shù)變革時(shí)期,這已經(jīng)是個(gè)不爭(zhēng)的事實(shí)。過去100多年里,內(nèi)燃機(jī)引擎中都在使用燃油泵和活塞,而現(xiàn)在正在被鋰離子電池、逆變器和IGBT所取代。簡(jiǎn)言之,汽車正在變得更加電子化。汽車的第一次電子化可能僅僅被看作是增加其電子含量的演練,或在適應(yīng)現(xiàn)有的非汽車系統(tǒng)(如高壓工業(yè)驅(qū)動(dòng)器),最終適應(yīng)汽車中的應(yīng)用。然后,采用這種方法將會(huì)大大低估可能面臨的挑戰(zhàn)。在功率和電壓等級(jí)方面,就目前的相似度而言,它們都與相關(guān)的工業(yè)離線應(yīng)用類似。在汽車世界里,空間和重量都受到限制,而且環(huán)境也很惡劣,0ppm(ppm=不合格品個(gè)數(shù)*1000000/批量)質(zhì)量至關(guān)重要,而讓問題變得更加嚴(yán)重的是,純電動(dòng)車(EV)中的能源供應(yīng)是有限的,因此效率就成為關(guān)鍵所在。所以,我們還不能忽略對(duì)于低成本系統(tǒng)的需求,要與內(nèi)燃機(jī)引擎(在過去幾十年里,這一技術(shù)在魯棒性、可靠性和出色的功率密度方面進(jìn)行了優(yōu)化)進(jìn)行競(jìng)爭(zhēng)。這是一個(gè)新興的市場(chǎng),需要專門基于這一因素開發(fā)半導(dǎo)體解決方案!
在眾多電動(dòng)汽車中,需求最多的便是主逆變器,在這里,采用專門針對(duì)應(yīng)用進(jìn)行開發(fā)的芯片和封裝解決方案至關(guān)重要。在(H)EV發(fā)展早期,普遍采用工業(yè)“磚”型模塊(這些最初是設(shè)計(jì)用于工業(yè)離線應(yīng)用),因此對(duì)于汽車的功率密度以及有限結(jié)構(gòu)因數(shù)的限制基本沒有考慮。它們一般包括IGBT和二極管,額定電壓為600V或1200V,結(jié)溫最高達(dá)到150℃。在室溫范圍內(nèi),短路保護(hù)性能限制在6μs.在汽車世界中,一個(gè)重要的因數(shù)是工作溫度范圍,其最低可以達(dá)到-40℃,在更低的溫度下,IGBT和二極管的BV(擊穿電壓)下降,器件處理電壓峰值時(shí),潛在的會(huì)帶來(lái)一些問題。為此,采用具有更高BV的功率元件將會(huì)受益,CooliRIGBT Gen 2平臺(tái)便是一個(gè)示例。
超薄晶體IGBT技術(shù),額定電壓為680V,24A至600A的芯片尺寸,在-40℃溫度,最低600V的BV下,能夠?qū)崿F(xiàn)良好的Vce(on)性能。與此相配合的性能主要針對(duì)在175℃的結(jié)溫下運(yùn)行的器件,不止限制時(shí)間量(如一些替代技術(shù)),而且溫度始終為175℃。因?yàn)榫哂懈叩腂V的緣故,更高的電壓峰值可以適應(yīng)系統(tǒng),因此降低了對(duì)于高成本解決方案的需求,這可以限制電感,又或者,系統(tǒng)的確可以更快的轉(zhuǎn)換,獲得更多的優(yōu)勢(shì),如降低電機(jī)尺寸。與器件的主逆變器的保護(hù)相關(guān)的高功率水平顯然是非常重要的,對(duì)于這種高溫環(huán)境下開關(guān)的短路保護(hù)性能同樣也非常重要。CooliRIGBT器件能夠針對(duì)性能平衡進(jìn)行優(yōu)化,但是一般是設(shè)計(jì)用于處在150℃,至少6μs的短路保護(hù)時(shí)間。保護(hù)特性通過芯片上的電流感應(yīng)最終完成。圖1總結(jié)了新的IGBT平臺(tái)的一些特性。
圖1:CooliR IGBT和CooliR二極管特性的總結(jié)
在眾多電動(dòng)汽車中,需求最多的便是主逆變器,在這里,采用專門針對(duì)應(yīng)用進(jìn)行開發(fā)的芯片和封裝解決方案至關(guān)重要。在(H)EV發(fā)展早期,普遍采用工業(yè)“磚”型模塊(這些最初是設(shè)計(jì)用于工業(yè)離線應(yīng)用),因此對(duì)于汽車的功率密度以及有限結(jié)構(gòu)因數(shù)的限制基本沒有考慮。它們一般包括IGBT和二極管,額定電壓為600V或1200V,結(jié)溫最高達(dá)到150℃。在室溫范圍內(nèi),短路保護(hù)性能限制在6μs.在汽車世界中,一個(gè)重要的因數(shù)是工作溫度范圍,其最低可以達(dá)到-40℃,在更低的溫度下,IGBT和二極管的BV(擊穿電壓)下降,器件處理電壓峰值時(shí),潛在的會(huì)帶來(lái)一些問題。為此,采用具有更高BV的功率元件將會(huì)受益,CooliRIGBT Gen 2平臺(tái)便是一個(gè)示例。
超薄晶體IGBT技術(shù),額定電壓為680V,24A至600A的芯片尺寸,在-40℃溫度,最低600V的BV下,能夠?qū)崿F(xiàn)良好的Vce(on)性能。與此相配合的性能主要針對(duì)在175℃的結(jié)溫下運(yùn)行的器件,不止限制時(shí)間量(如一些替代技術(shù)),而且溫度始終為175℃。因?yàn)榫哂懈叩腂V的緣故,更高的電壓峰值可以適應(yīng)系統(tǒng),因此降低了對(duì)于高成本解決方案的需求,這可以限制電感,又或者,系統(tǒng)的確可以更快的轉(zhuǎn)換,獲得更多的優(yōu)勢(shì),如降低電機(jī)尺寸。與器件的主逆變器的保護(hù)相關(guān)的高功率水平顯然是非常重要的,對(duì)于這種高溫環(huán)境下開關(guān)的短路保護(hù)性能同樣也非常重要。CooliRIGBT器件能夠針對(duì)性能平衡進(jìn)行優(yōu)化,但是一般是設(shè)計(jì)用于處在150℃,至少6μs的短路保護(hù)時(shí)間。保護(hù)特性通過芯片上的電流感應(yīng)最終完成。圖1總結(jié)了新的IGBT平臺(tái)的一些特性。
圖1:CooliR IGBT和CooliR二極管特性的總結(jié)
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