資料介紹
1 引言
頻率源是所有電子系統(雷達、通訊、測控、導航等)的基本信號來源,其主要包括固定頻率源和合成頻率源兩類。其中合成頻率源又稱頻率合成(綜合)器,按其構成方式可分為直接式和間接式。采用鎖相環(PLL)技術的間接頻率合成器目前應用最為廣泛。直接模擬頻率合成器(DAS)采用倍頻器、分頻器、混頻器及微波開關來實現頻率合成,具有最優的近端相位噪聲和高速捷變頻特性,但結構復雜、成本昂貴的特點限制其只能應用于雷達等高端領域。直接數字合成器(DDS)目前也得到了廣泛應用,但高性能DDS產品的輸出頻率還有待提高,在微波領域其往往與鎖相技術結合以混合方式實現微波頻率合成。鎖相技術與直接式倍頻器或DDS相結合的混合式頻率合成器在提高系統性能的同時降低了DAS合成方式的成本,已逐漸取代部分DAS合成頻率源應用在高性能頻率源領域。
2 主要功能、技術指標和方案分析
2.1 主要功能及技術指標
根據技術要求,該頻綜器的輸出信號包括一本振、主振等五路輸出信號;二本振、主振信號分別為L波段、X波段的寬帶捷變頻輸出,一本振信號為X波段的固定頻率輸出,另一路為15MHz固定頻率TTL電平輸出,并具有主振輸出預調制、BPSK等功能,所有輸出頻率共用一個恒溫晶體振蕩器作為參考源,以確保各路輸出頻率相參。主振信號的主要技術指標如下:
輸出頻率:X波段(帶寬大于200MHz)
頻率間隔:15MHz
輸出功率:10dBm±1dB
跳頻時間:≤50μs
雜波抑制:≤-70dBc
相噪(dBc/Hz):-95 @1kHz -100 @10kHz
-100 @10kHz -125 @1MHz
2.2 方案分析
由于系統對頻綜器的相位噪聲指標要求比較高,所以針對固定輸出或內部使用的頻率點,我們采用DAS技術,通過分頻、倍頻、混頻、濾波、放大等方式,得到所需要的輸出頻率。針對捷變頻輸出,因為相位噪聲指標要求比較高,輸出頻率點較多,達12個頻率點,而跳頻時間要求≤50μs,所以采用單環PLL技術,先得到二本振(LO2)信號,再從二本振耦合一路輸出與微波基準(PDRO)混頻,將輸出頻率搬移到高頻頻段上,即可得到主振信號,這樣做可保持相噪最佳,以保證二本振和主振信號的相位噪聲和跳頻時間指標。通過設計小體積的濾波器、微封裝的放大器、開關等,合理地選擇頻率,配置功率電平,可充分發揮DAS低相噪和PLL捷變頻的優點,并且能夠滿足雜波抑制等技術指標的要求。
(a)模塊劃分
(b)總體框圖
圖1 X波段頻率綜合器組成框圖
通過以上分析,我們將頻綜器分成兩個模塊,其組成框圖如圖1所示。中頻源模塊通過分頻、倍頻、鎖相、濾波、放大等相應處理,產生100MHz、240MHz、300MHz和LO2信號;微波源模塊主要是利用中頻源模塊產生的100MHz、240MHz、300MHz和LO2信號,通過混頻、鎖相、濾波、放大等相應處理,得到主振 (FT)等信號。
頻率源是所有電子系統(雷達、通訊、測控、導航等)的基本信號來源,其主要包括固定頻率源和合成頻率源兩類。其中合成頻率源又稱頻率合成(綜合)器,按其構成方式可分為直接式和間接式。采用鎖相環(PLL)技術的間接頻率合成器目前應用最為廣泛。直接模擬頻率合成器(DAS)采用倍頻器、分頻器、混頻器及微波開關來實現頻率合成,具有最優的近端相位噪聲和高速捷變頻特性,但結構復雜、成本昂貴的特點限制其只能應用于雷達等高端領域。直接數字合成器(DDS)目前也得到了廣泛應用,但高性能DDS產品的輸出頻率還有待提高,在微波領域其往往與鎖相技術結合以混合方式實現微波頻率合成。鎖相技術與直接式倍頻器或DDS相結合的混合式頻率合成器在提高系統性能的同時降低了DAS合成方式的成本,已逐漸取代部分DAS合成頻率源應用在高性能頻率源領域。
2 主要功能、技術指標和方案分析
2.1 主要功能及技術指標
根據技術要求,該頻綜器的輸出信號包括一本振、主振等五路輸出信號;二本振、主振信號分別為L波段、X波段的寬帶捷變頻輸出,一本振信號為X波段的固定頻率輸出,另一路為15MHz固定頻率TTL電平輸出,并具有主振輸出預調制、BPSK等功能,所有輸出頻率共用一個恒溫晶體振蕩器作為參考源,以確保各路輸出頻率相參。主振信號的主要技術指標如下:
輸出頻率:X波段(帶寬大于200MHz)
頻率間隔:15MHz
輸出功率:10dBm±1dB
跳頻時間:≤50μs
雜波抑制:≤-70dBc
相噪(dBc/Hz):-95 @1kHz -100 @10kHz
-100 @10kHz -125 @1MHz
2.2 方案分析
由于系統對頻綜器的相位噪聲指標要求比較高,所以針對固定輸出或內部使用的頻率點,我們采用DAS技術,通過分頻、倍頻、混頻、濾波、放大等方式,得到所需要的輸出頻率。針對捷變頻輸出,因為相位噪聲指標要求比較高,輸出頻率點較多,達12個頻率點,而跳頻時間要求≤50μs,所以采用單環PLL技術,先得到二本振(LO2)信號,再從二本振耦合一路輸出與微波基準(PDRO)混頻,將輸出頻率搬移到高頻頻段上,即可得到主振信號,這樣做可保持相噪最佳,以保證二本振和主振信號的相位噪聲和跳頻時間指標。通過設計小體積的濾波器、微封裝的放大器、開關等,合理地選擇頻率,配置功率電平,可充分發揮DAS低相噪和PLL捷變頻的優點,并且能夠滿足雜波抑制等技術指標的要求。
(a)模塊劃分
(b)總體框圖
圖1 X波段頻率綜合器組成框圖
通過以上分析,我們將頻綜器分成兩個模塊,其組成框圖如圖1所示。中頻源模塊通過分頻、倍頻、鎖相、濾波、放大等相應處理,產生100MHz、240MHz、300MHz和LO2信號;微波源模塊主要是利用中頻源模塊產生的100MHz、240MHz、300MHz和LO2信號,通過混頻、鎖相、濾波、放大等相應處理,得到主振 (FT)等信號。
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