資料介紹
肖特基二極管廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源中,每一個從事電子行業(yè)的人都有聽過肖特基,但我們是否真正了解,肖特基內(nèi)部結(jié)構(gòu)、應(yīng)用范圍以及為什么肖特基廣泛應(yīng)用于高頻開關(guān)電源中?那么下面就讓我們一起走進肖特基的世界尋找我們想要的答案。
二極管有多種類型:按材料分為鍺二極管、硅二極管、砷化鎵二極管等;按管芯結(jié)構(gòu)可分為面接觸二極管和點接觸二極管;按用途不同又可分為整流二極管、檢波二極管、穩(wěn)壓二極管、變?nèi)荻O管、光電二極管、發(fā)光二極管、開關(guān)二極管、快速恢復(fù)二極管等;按照結(jié)類型又可分為半導(dǎo)體結(jié)型二極管和金屬半導(dǎo)體結(jié)型二極管,然而肖特基二極管就屬于金屬半導(dǎo)體結(jié)型二極管。
一、肖特基二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)
肖特基(Schottky)二極管也稱肖特基勢壘二極管(簡稱SBD),是由金屬與半導(dǎo)體接觸形成的勢壘層為基礎(chǔ)制成的二極管如圖 1所示,其主要特點是正向?qū)▔航敌。s0.45V),反向恢復(fù)時間短和開關(guān)損耗小,是一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。肖特基二極管在結(jié)構(gòu)原理上與PN結(jié)二極管有很大區(qū)別,它的內(nèi)部是由陽極金屬(用鉬或鋁等材料制成的阻擋層)、二氧化硅(SiO2)電場消除材料、N-外延層(砷材料)、N型硅基片、N+陰極層及陰極金屬等構(gòu)成,如圖1所示。在N型基片和陽極金屬之間形成肖特基勢壘。當(dāng)在肖特基勢壘兩端加上正向偏壓(陽極金屬接電源正極,N型基片接電源負極)時,肖特基勢壘層變窄,其內(nèi)阻變小;反之,若在肖特基勢壘兩端加上反向偏壓時,肖特基勢壘層則變寬,其內(nèi)阻變大。
圖 1
肖特基二極管存在的問題是耐壓比較低,反向漏電流比較大。目前應(yīng)用在功率變換電路中的肖特基二極管的大體水平是耐壓在150V以下,平均電流在100A以下,反向恢復(fù)時間在10~40ns。肖特基二極管應(yīng)用在高頻低壓電路中,是比較理想的。
二、肖特基二極管應(yīng)用
開關(guān)電源當(dāng)中我們經(jīng)常會用到肖特基二極管,但是由于不同廠商等原因性能上就相差很大,我們選擇肖特基時必須要考慮以下幾點參數(shù):
1、導(dǎo)通壓降VF
VF為二極管正向?qū)〞r二極管兩端的壓降,當(dāng)通過二極管的電流越大,VF越大;當(dāng)二極管溫度越高時,VF越小。
2、反向飽和漏電流IR
IR指在二極管兩端加入反向電壓時,流過二極管的電流,肖特基二極管反向漏電流較大,選擇肖特基二極管是盡量選擇IR較小的二極管。
3、額定電流IF
指二極管長期運行時,根據(jù)允許溫升折算出來的平均電流值。
4. 最大浪涌電流IFSM
允許流過的過量的正向電流。它不是正常電流,而是瞬間電流,這個值相當(dāng)大。
5.最大反向峰值電壓VRM
即使沒有反向電流,只要不斷地提高反向電壓,遲早會使二極管損壞。這種能加上的反向電壓,不是瞬時電壓,而是反復(fù)加上的正反向電壓。因給整流器加的是交流電壓,它的最大值是規(guī)定的重要因子。最大反向峰值電壓VRM指為避免擊穿所能加的最大反向電壓。目前肖特基最高的VRM值為150V。
6. 最大直流反向電壓VR
上述最大反向峰值電壓是反復(fù)加上的峰值電壓,VR是連續(xù)加直流電壓時的值。用于直流電路,最大直流反向電壓對于確定允許值和上限值是很重要的。
7.最高工作頻率fM
由于PN結(jié)的結(jié)電容存在,當(dāng)工作頻率超過某一值時,它的單向?qū)щ娦詫⒆儾睢Pぬ鼗O管的fM值較高,最大可達100GHz。
8.反向恢復(fù)時間Trr
當(dāng)工作電壓從正向電壓變成反向電壓時,二極管工作的理想情況是電流能瞬時截止。實際上,一般要延遲一點點時間。決定電流截止延時的量,就是反向恢復(fù)時間。雖然它直接影響二極管的開關(guān)速度,但不一定說這個值小就好。也即當(dāng)二極管由導(dǎo)通突然反向時,反向電流由很大衰減到接近IR時所需要的時間。大功率開關(guān)管工作在高頻開關(guān)狀態(tài)時,此項指標(biāo)至為重要。
9. 最大耗散功率P
二極管中有電流流過,就會吸熱,而使自身溫度升高。在實際中外部散熱狀況對P也是影響很大。具體講就是加在二極管兩端的電壓乘以流過的電流加上反向恢復(fù)損耗。
三、肖特基與快恢復(fù)二極管對比
快恢復(fù)二極管是反向恢復(fù)時間很短的二極管(5us以下),其正向壓降高于普通二極管(0.8~2V)反向耐壓在1200V以下,在性能上可以分為快恢復(fù)和超快恢復(fù),后者可以達到100ns以下。
肖特基二極管反向恢復(fù)時間在10ns以下,反向漏電流較大,耐壓低,一般低于150V多用于低壓場合。
肖特基二極管和快恢復(fù)二極管區(qū)別:前者的恢復(fù)時間比后者小一百倍左右,前者的反向恢復(fù)時間大約為幾納秒。前者的優(yōu)點還有低功耗,大電流,超高速;后者有較高的開關(guān)速度,同時也能得到較高的耐壓,反向漏電小,可用于電壓較高且頻率較高的場合。
另外肖特基二極管的ESD承受能力低于快恢復(fù)二極管。
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二極管有多種類型:按材料分為鍺二極管、硅二極管、砷化鎵二極管等;按管芯結(jié)構(gòu)可分為面接觸二極管和點接觸二極管;按用途不同又可分為整流二極管、檢波二極管、穩(wěn)壓二極管、變?nèi)荻O管、光電二極管、發(fā)光二極管、開關(guān)二極管、快速恢復(fù)二極管等;按照結(jié)類型又可分為半導(dǎo)體結(jié)型二極管和金屬半導(dǎo)體結(jié)型二極管,然而肖特基二極管就屬于金屬半導(dǎo)體結(jié)型二極管。
一、肖特基二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)
肖特基(Schottky)二極管也稱肖特基勢壘二極管(簡稱SBD),是由金屬與半導(dǎo)體接觸形成的勢壘層為基礎(chǔ)制成的二極管如圖 1所示,其主要特點是正向?qū)▔航敌。s0.45V),反向恢復(fù)時間短和開關(guān)損耗小,是一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。肖特基二極管在結(jié)構(gòu)原理上與PN結(jié)二極管有很大區(qū)別,它的內(nèi)部是由陽極金屬(用鉬或鋁等材料制成的阻擋層)、二氧化硅(SiO2)電場消除材料、N-外延層(砷材料)、N型硅基片、N+陰極層及陰極金屬等構(gòu)成,如圖1所示。在N型基片和陽極金屬之間形成肖特基勢壘。當(dāng)在肖特基勢壘兩端加上正向偏壓(陽極金屬接電源正極,N型基片接電源負極)時,肖特基勢壘層變窄,其內(nèi)阻變小;反之,若在肖特基勢壘兩端加上反向偏壓時,肖特基勢壘層則變寬,其內(nèi)阻變大。
圖 1
肖特基二極管存在的問題是耐壓比較低,反向漏電流比較大。目前應(yīng)用在功率變換電路中的肖特基二極管的大體水平是耐壓在150V以下,平均電流在100A以下,反向恢復(fù)時間在10~40ns。肖特基二極管應(yīng)用在高頻低壓電路中,是比較理想的。
二、肖特基二極管應(yīng)用
開關(guān)電源當(dāng)中我們經(jīng)常會用到肖特基二極管,但是由于不同廠商等原因性能上就相差很大,我們選擇肖特基時必須要考慮以下幾點參數(shù):
1、導(dǎo)通壓降VF
VF為二極管正向?qū)〞r二極管兩端的壓降,當(dāng)通過二極管的電流越大,VF越大;當(dāng)二極管溫度越高時,VF越小。
2、反向飽和漏電流IR
IR指在二極管兩端加入反向電壓時,流過二極管的電流,肖特基二極管反向漏電流較大,選擇肖特基二極管是盡量選擇IR較小的二極管。
3、額定電流IF
指二極管長期運行時,根據(jù)允許溫升折算出來的平均電流值。
4. 最大浪涌電流IFSM
允許流過的過量的正向電流。它不是正常電流,而是瞬間電流,這個值相當(dāng)大。
5.最大反向峰值電壓VRM
即使沒有反向電流,只要不斷地提高反向電壓,遲早會使二極管損壞。這種能加上的反向電壓,不是瞬時電壓,而是反復(fù)加上的正反向電壓。因給整流器加的是交流電壓,它的最大值是規(guī)定的重要因子。最大反向峰值電壓VRM指為避免擊穿所能加的最大反向電壓。目前肖特基最高的VRM值為150V。
6. 最大直流反向電壓VR
上述最大反向峰值電壓是反復(fù)加上的峰值電壓,VR是連續(xù)加直流電壓時的值。用于直流電路,最大直流反向電壓對于確定允許值和上限值是很重要的。
7.最高工作頻率fM
由于PN結(jié)的結(jié)電容存在,當(dāng)工作頻率超過某一值時,它的單向?qū)щ娦詫⒆儾睢Pぬ鼗O管的fM值較高,最大可達100GHz。
8.反向恢復(fù)時間Trr
當(dāng)工作電壓從正向電壓變成反向電壓時,二極管工作的理想情況是電流能瞬時截止。實際上,一般要延遲一點點時間。決定電流截止延時的量,就是反向恢復(fù)時間。雖然它直接影響二極管的開關(guān)速度,但不一定說這個值小就好。也即當(dāng)二極管由導(dǎo)通突然反向時,反向電流由很大衰減到接近IR時所需要的時間。大功率開關(guān)管工作在高頻開關(guān)狀態(tài)時,此項指標(biāo)至為重要。
9. 最大耗散功率P
二極管中有電流流過,就會吸熱,而使自身溫度升高。在實際中外部散熱狀況對P也是影響很大。具體講就是加在二極管兩端的電壓乘以流過的電流加上反向恢復(fù)損耗。
三、肖特基與快恢復(fù)二極管對比
快恢復(fù)二極管是反向恢復(fù)時間很短的二極管(5us以下),其正向壓降高于普通二極管(0.8~2V)反向耐壓在1200V以下,在性能上可以分為快恢復(fù)和超快恢復(fù),后者可以達到100ns以下。
肖特基二極管反向恢復(fù)時間在10ns以下,反向漏電流較大,耐壓低,一般低于150V多用于低壓場合。
肖特基二極管和快恢復(fù)二極管區(qū)別:前者的恢復(fù)時間比后者小一百倍左右,前者的反向恢復(fù)時間大約為幾納秒。前者的優(yōu)點還有低功耗,大電流,超高速;后者有較高的開關(guān)速度,同時也能得到較高的耐壓,反向漏電小,可用于電壓較高且頻率較高的場合。
另外肖特基二極管的ESD承受能力低于快恢復(fù)二極管。
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