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      電子發燒友網>電子資料下載>電子論文>機電一體化技術論文>離子注入工藝 (課程設計資料)

      離子注入工藝 (課程設計資料)

      2011-05-22 | doc | 219 KB | 次下載 | 免費

      資料介紹

      離子注入是現代集成電路制造中的一種非常重要的技術,其利用離子注入機實現半導體的摻雜,即將特定的雜質原子（Dopant）以離子加速的方式注入硅半導體晶體內改變其導電特性并最終形成晶體管結構。隨著半導體集成電路的高速發展,對工藝提出了更高的要求,特別是對關鍵工藝的影響更大。本文對半導體集成電路工藝中的離子注入工藝的主要特點、工藝中存在的幾個問題及在化合物半導體集成電路工藝中的應用等方面進行了重點闡述。
      2．離子注入工藝?1
      現代的半導體制造工藝中制造一個完整的半導體器件一般要用到許多步（15～25步）的離子注入。離子注入的最主要工藝參數是雜質種類,注入能量和摻雜劑量。雜質種類是指選擇何種原子注入硅基體,一般雜質種類可以分為N型和P型兩類,N型主要包括磷,砷,銻等,而P型則主要包括硼,銦等。注入能量決定了雜質原子注入硅晶體的深度,高能量注入得深,而低能量注入得淺。摻雜劑量是指雜質原子注入的濃度,其決定了摻雜層導電的強弱。通常半導體器件的設計者需要根據具體的目標器件特性為每一步離子注入優化以上這些工藝參數。圖1給出了130nm器件上離子注入后和回火后的B、BF2的深度和濃度變化。
      2.2 離子注入的分類?2
      2.3 離子注入的要求?2
      3． 離子注入工藝的特點?3
      4. 離子注入工藝中應注意的幾個問題?5
      4.1 離子溝道?5
      4.2 損傷?5
      4.3 退火?6
      4.4 預防沾污?6

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