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????? 離子注入的特點是加工溫度低，易做淺結，大面積注入雜質仍能保證均勻，摻雜種類廣泛，并且易于自動化。由于采用了離子注入技術，大大地推動了半導體器件和集成電路工業的發展，從而使集成電路的生產進入了大規模及ULSI時代。
離子注入：將具有很高能量的雜質離子射入半導體襯底中的摻雜技術，摻雜深度由注入雜質離子的能量和質量決定，摻雜濃度由注入雜質離子的數目(劑量)決定。
?摻雜的均勻性好；
溫度低：小于600℃；
可以精確控制雜質分布；
可以注入各種各樣的元素；
橫向擴展比擴散要小得多；
可以對化合物半導體進行摻雜。
一．離子注入工藝設備結構
二、離子注入工藝的特點
???? (2）可以精確控制注入到硅中的摻雜原子數目。
??? （3）襯底溫度低，一般保持在室溫，因此，像二氧化硅、氮化硅、鋁何光刻膠等都可以用來作為選擇摻雜的掩蔽膜。
??? （4）離子注入深度是隨離子能量的增加而增加，因此摻雜深度可以通過控制離子束能量高低來實現。另外，在注入過程中可精確控制電荷量，從而可精確控制摻雜濃度。?
?? （5）離子注入是一個非平衡過程，不受雜質在襯底材料中的固溶度限制，原則上對各種元素均可摻雜。
?? （6）離子注入時的襯底溫度低，這樣就可以避免了高溫擴散所引起的熱缺陷。
?? （7）由于注入的直進性，注入雜質是按掩膜的圖形近于垂直入射，因此橫向效應比熱擴散小的多，有利于器件特征尺寸的縮小。
? （8）離子往往是通過硅表面上的薄膜注入到硅中，因此硅表面上的薄膜起到了保護膜作用
?? （9）化合物半導體是兩種或多種元素按 一定組分構成的，這種材料經高溫處理時，組分可能發生變化。采用離子注入技術，基本不存在上述問題，因此容易實現對化合物半導體的摻雜
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