本文研究了 基于形狀修正的電子束光刻分級鄰近效應(yīng)校正技術(shù)，在內(nèi)部鄰近效應(yīng)校正的基礎(chǔ)上，在計算圖形之間產(chǎn)生的相互鄰近效應(yīng)過程中，采用了局部曝光窗口和全局曝光窗口機制。局部曝光窗口的區(qū)域小，對計算精度影響大，采用累積求和的方法進行精確計算;全局曝光窗口區(qū)域大，對計算精度影響小，采用大像點近似的方法進行計算，從而更快速地實現(xiàn)鄰近效應(yīng)校正。該技術(shù)的應(yīng)用，滿足了校正精度和運算速度兩方面的要求。實驗結(jié)果與模擬結(jié)果一致，表明通過采用局部曝光窗口和全局曝光窗口機制，能夠快速地實現(xiàn)相互鄰近效應(yīng)校正，在校正精度相同的情況下，有效提高了運算速度。

　　微細加工技術(shù)是制備超大規(guī)模集成電路的關(guān)鍵技術(shù)，它可以按照設(shè)計圖形實現(xiàn)高精度的微型器件加工。隨著現(xiàn)代科學技術(shù)的不斷發(fā)展，對集成電路分辨率的要求越來越高，這就對圖形加工技術(shù)提出了更高的要求。電子束光刻是極好的高分辨率圖形加工技術(shù)，理論上其分辨率可達3~8nm ，但是。由于電子在抗蝕劑和基片中可產(chǎn)生多達數(shù)微米的散射，因此抗蝕劑中某一點所吸收到的能量沉積會受到該點和相鄰曝光點人射電子劑量的影響。在較大曝光區(qū)域的中心會包含來自周圍人射電子的很多分量，而該區(qū)域的拐角和邊緣處沒有接收到相同的總劑量，導致顯影圖形發(fā)生偏移。如果邊緣處的吸收能量密度正好為顯影閾值，那么其拐角處則不能顯影出所希望的位置，這稱為內(nèi)部鄰近效應(yīng)”。當相鄰的圖形相距很近時，則產(chǎn)生共同的曝光效應(yīng)，使相鄰圖形之間彼此向?qū)Ψ酵钩龊脱由欤踔列纬蓸蚪蝇F(xiàn)象，這稱為相互鄰近效應(yīng)”。