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基于0.6 μm CMOS 工藝的單片集成有源電感設(shè)計(jì)
吉小冬[1][2] 孫玲[2] 包志華[2]
(1. 東南大學(xué)集成電路學(xué)院，江蘇，南京，210096
2.南通大學(xué)江蘇省專用集成電路設(shè)計(jì)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，江蘇，南通，226007)
摘要：采用0.6 μm CMOS 工藝實(shí)現(xiàn)了一種CMOS 工藝單片集成有源電感的設(shè)計(jì)，其電路原理圖由 2 個(gè)N 型場(chǎng)效應(yīng)晶體管和2 個(gè)P 型場(chǎng)效應(yīng)晶體管構(gòu)成，電感值可受直流偏置控制，占用面積小。仿真結(jié)果表明，該有源電感電路的工作頻率范圍為1MHz~1GHz，600MHz 頻率處電感的Q 值達(dá)到26，等效電感值為400nH。
關(guān)鍵詞：有源電感；單片集成電路；品質(zhì)因數(shù)；CMOS 工藝
吉小冬[1][2] 孫玲[2] 包志華[2]
(1. 東南大學(xué)集成電路學(xué)院，江蘇，南京，210096
2.南通大學(xué)江蘇省專用集成電路設(shè)計(jì)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，江蘇，南通，226007)
摘要：采用0.6 μm CMOS 工藝實(shí)現(xiàn)了一種CMOS 工藝單片集成有源電感的設(shè)計(jì)，其電路原理圖由 2 個(gè)N 型場(chǎng)效應(yīng)晶體管和2 個(gè)P 型場(chǎng)效應(yīng)晶體管構(gòu)成，電感值可受直流偏置控制，占用面積小。仿真結(jié)果表明，該有源電感電路的工作頻率范圍為1MHz~1GHz，600MHz 頻率處電感的Q 值達(dá)到26，等效電感值為400nH。
關(guān)鍵詞：有源電感；單片集成電路；品質(zhì)因數(shù)；CMOS 工藝
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