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由于半導(dǎo)體終端產(chǎn)品朝著整合多功能、數(shù)字化和輕薄短小三大趨勢飛速發(fā)展，又由于便攜式電子產(chǎn)品如手機(jī)、MP3/4、掌上電腦、個(gè)人數(shù)字助理（PDA）、筆記本電腦等設(shè)備的迅速普及，導(dǎo)致具有快速響應(yīng)、高功率密度的低成本單片電源管理IC（PMU）的市場需求越來越大］。而LDO（Low Dropout，低壓差）線性穩(wěn)壓器由于其具有架構(gòu)簡單、價(jià)格低、省電、噪聲小、無波紋、高電源抑制比（PSRR）特征以及尺寸小等突出優(yōu)點(diǎn)在PMU中應(yīng)用普遍。此外，新一代的低工作電壓和電子產(chǎn)品，從以前的5V逐漸減少至3.3V，2.5V，1.8V，甚至更低，所以我們必須提高LDO電源利用，盡可能降低全集成LDO的壓差2］。為了達(dá)到上述要求，LDO中的功率器件通常采用功率MOS晶體管作為調(diào)整管，這種LDO的壓差能夠達(dá)到0.4mV-52mV甚至更小的范圍l1.這意味著提供的電壓更穩(wěn)定，大大的提高了電源利用率，使電池的壽命更長。
LDO作為一個(gè)重要的電路模塊也被大量地集成到片上系統(tǒng)（SOC）、數(shù)字芯片、高性能模數(shù)/數(shù)模轉(zhuǎn)換芯片之中1］。傳統(tǒng)方法是利用片外的負(fù)載電容的等效串聯(lián)電阻（ESR）進(jìn)行補(bǔ)償。但是，采用片外電容無疑減小了系統(tǒng)的集成度、增加了系統(tǒng)功耗。全集成型LDO克服了傳統(tǒng)LDO的缺點(diǎn)，因此設(shè)計(jì)一款穩(wěn)定，響應(yīng)速度快、低壓差、高PSRR的全集成LDO具有重要意義和價(jià)值同.
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