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????????本文闡述了石英晶片真空蒸發鍍膜測控的基本原理和鍍膜過程中石英晶片諧振頻率變化與鍍膜厚度之間的關系。主要研究了以W77E516 單片機為核心，配合其它相關芯片完成石英晶片真空蒸發鍍膜過程測控系統的工作原理和實現方案，重點闡述了該系統的硬件設計和軟件設計方法。
關鍵詞：石英晶片 諧振頻率 蒸發鍍膜
??????? 在工業生產過程中通過對石英晶片兩面鍍上銀層使其諧振頻率達到目標值。蒸發鍍膜在真空度為毫帕級的狀態下完成，真空狀態具有無塵和無氣流干擾的優點，是理想的鍍膜環境。
??????? 由于鍍層是超薄的,這對鍍膜測控系統的精度提出了非常高的要求，提高鍍膜膜厚的測控精度是真空蒸發鍍膜工藝的技術關鍵與難點。傳統的石英晶片鍍膜膜厚控制方法采用鍍膜時間控制法,即從控制鍍膜時間的長短達到控制膜厚的目的，這種方法精度不高。為了提高石英晶片的鍍膜精度，采用了一種新型鍍膜測控方法，將待鍍的石英晶片（以下稱為石英晶片）與一片作為標準的石英晶片（以下稱為標晶）置于同一真空蒸發鍍膜環境下,在鍍膜過程中石英晶片和標晶的鍍層厚度都會增加,并且它們的膜層增長速率成一定的比率關系。通過實時監測標晶諧振頻率的變化，可以推算出標晶上鍍層膜厚的變化，進而推算出被鍍石英晶片膜厚的變化，達到控制石英晶片鍍膜厚度的目的，使鍍膜后石英晶片的諧振頻率達到目標值。
關鍵詞：石英晶片 諧振頻率 蒸發鍍膜
??????? 在工業生產過程中通過對石英晶片兩面鍍上銀層使其諧振頻率達到目標值。蒸發鍍膜在真空度為毫帕級的狀態下完成，真空狀態具有無塵和無氣流干擾的優點，是理想的鍍膜環境。
??????? 由于鍍層是超薄的,這對鍍膜測控系統的精度提出了非常高的要求，提高鍍膜膜厚的測控精度是真空蒸發鍍膜工藝的技術關鍵與難點。傳統的石英晶片鍍膜膜厚控制方法采用鍍膜時間控制法,即從控制鍍膜時間的長短達到控制膜厚的目的，這種方法精度不高。為了提高石英晶片的鍍膜精度，采用了一種新型鍍膜測控方法，將待鍍的石英晶片（以下稱為石英晶片）與一片作為標準的石英晶片（以下稱為標晶）置于同一真空蒸發鍍膜環境下,在鍍膜過程中石英晶片和標晶的鍍層厚度都會增加,并且它們的膜層增長速率成一定的比率關系。通過實時監測標晶諧振頻率的變化，可以推算出標晶上鍍層膜厚的變化，進而推算出被鍍石英晶片膜厚的變化，達到控制石英晶片鍍膜厚度的目的，使鍍膜后石英晶片的諧振頻率達到目標值。
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