CN0311 本文所述PLL轉(zhuǎn)調(diào)制器接口適用于所有集成2XLO分相器的 I/Q調(diào)制器。它還適用于基于2XLO的I/Q解調(diào)器， 如 ADL5387。 CN-0311使用EVAL-ADF4351EB1Z 和ADL5385-EVALZ 評估所述電路，能夠快速設(shè)置并進(jìn)行評估。。EVAL-ADF4351EB1Z使用評估板附帶光盤中的標(biāo)準(zhǔn)ADF4351 編程軟件。 設(shè)備要求 需要以下設(shè)備： 帶USB端口的Windows? XP、Vista或Windows 7 PC EVAL-ADF4351EB1Z評估板 ADL5385-EVALZ評估板 ADF4351編程軟件 電源 (5 V, 500 mA) I/Q信號源，如Rohde & Schwarz AMIQ 頻譜分析儀 另外，可參考針對EVAL-ADF4351EB1Z評估板的UG-435用 戶指南、ADF4351數(shù)據(jù)手冊和ADL5385數(shù)據(jù)手冊。 開始使用 測試設(shè)置的電路描述、原理圖和框圖詳細(xì)信息參見 CN-0311(見圖1和圖3)。UG-435用戶指南詳細(xì)說明了 EVAL-ADF4351EB1Z評估軟件的安裝和使用。UG-435還包 含電路板設(shè)置說明和電路板原理圖、布局和物料清單。 ADL5385數(shù)據(jù)手冊中含有ADL5385-EVALZ電路板原理圖、 框圖、物料清單、布局和組裝信息。相關(guān)器件信息，請參 考ADF4351數(shù)據(jù)手冊和ADL5385數(shù)據(jù)手冊。 功能框圖 本文所述測試設(shè)置的功能框圖見圖3 設(shè)置和測試 完成設(shè)備設(shè)置后，使用標(biāo)準(zhǔn)RF測試方法測量電路的邊帶抑制性能。 圖1所示電路使用完全集成的小數(shù)N分頻PLL ICADF4351。ADF4351向發(fā)射正交調(diào)制器ADL5385提供本振(LO頻率為調(diào)制器RF輸出頻率的兩倍)信號，后者將模擬I/Q信號上變頻為RF信號。兩個器件共同提供寬帶基帶I/Q至RF發(fā)射解決方案。 ADF4351采用超低噪聲3.3 V ADP150 調(diào)節(jié)器供電，以實現(xiàn)最 佳LO相位噪聲性能。ADL5385 則采用5 V ADP3334 LDO供電。 ADP150LDO的輸出電壓噪聲僅為9 μV rms, rms(10 Hz至100 kHz積分)，有助于優(yōu)化VCO相位噪聲并減少VCO推壓的影響(等效于電源抑制)。有關(guān)使用ADP150 LDO對ADF4351供電的更多詳情，請參見CN-0147。 ADL5385采用二分頻模塊產(chǎn)生正交LO信號。因此，正交精度取決于輸入LO信號的占空比精度(以及內(nèi)部分頻器觸發(fā)器的匹配)。上升和下降時間的任何不平衡都會導(dǎo)致偶次諧波出現(xiàn)，影響ADF4351 RF的輸出。當(dāng)以差分形式驅(qū)動調(diào)制器LO輸入時，可以消除偶數(shù)階諧波，改善總體正交產(chǎn)生性能。 (詳見 “寬帶ADC前端設(shè)計考慮：何時使用雙變壓器配置?！弊髡撸篟ob Reeder和Ramya Ramachandran，模擬對話，40-07) 由于邊帶抑制性能取決于調(diào)制器的正交精度，相比單端方式，以差分方式驅(qū)動LO輸入端口能獲得更佳的邊帶抑制。比起大部分集成VCO的競爭型PLL器件所采用的單端輸出，ADF4351可提供差分RF輸出。 ADF4351輸出匹配包括ZBIAS上拉電阻，電源節(jié)點的去耦電容也起到一定的作用。為實現(xiàn)寬帶匹配，建議使用阻性負(fù)載(ZBIAS = 50Ω)，或者將一個阻性負(fù)載與ZBIAS的電抗性負(fù)載并聯(lián)。后者提供的輸出功率稍高，具體取決于所選的電感。對于1 GHz以下的LO工作頻率，則使用數(shù)值為19 nH或更高的電感。利用ZBIAS = 50 Ω可得出本電路的測量結(jié)果；輸出功率設(shè)置為5 dBm。使用50 Ω電阻時，此設(shè)置在全頻段 范圍內(nèi)的每輸出約為0 dBm；而使用差分輸入時為3 dBm。ADL5385 LO的輸入驅(qū)動電平規(guī)格為?10 dBm至+5 dBm；因此，它能夠降低ADF4351的輸出功率，節(jié)省功耗。 邊帶抑制性能與RF輸出頻率的掃描關(guān)系圖如圖2所示。在該掃描圖中，測試條件如下 基帶I/Q幅度= 1.4 V p-p差分正弦波與500 mV直流偏置正 基帶I/Q頻率 (fBB) = 1 MHz LO = 2 × RFOUT 測試設(shè)置的簡化框圖如圖3所示。由于標(biāo)準(zhǔn)ADL5385板不支持差分LO輸入驅(qū)動，因此測試中使用了修改后的ADL5385評估板。 圖2. 邊帶抑制，RFOUT從30 MHz掃描至2200 MHz ? 圖3. 測量邊帶抑制的測試設(shè)置(原理示意圖) ? 相比數(shù)據(jù)手冊測量中利用低噪聲RF信號發(fā)生器驅(qū)動ADL5385，本電路獲得了類似的(甚至更佳的)邊帶抑制性能。利用ADF4351的差分RF輸出可消除偶數(shù)階諧波，并提升調(diào)制器的正交精度。這會影響邊帶抑制性能和EVM。對圖1所示電路的測量表明，該電路的單載波W-CDMA復(fù)合EVM優(yōu)于2%。因此，該電路為30 MHz至2.2 GHz的頻率提供了低EVM寬帶解決方案。對于2.2 GHz以上的頻率，可使用一分頻調(diào)制器模塊，如CN-0285所述。 若需完整的設(shè)計支持包，請參閱http://www.analog.com/CN0311-DesignSupport. CN0311 使用LO二分頻調(diào)制器的寬帶低誤差矢量幅度(EVM)直接變頻發(fā)射機(jī) 本電路為寬帶直接變頻發(fā)射機(jī)模擬部分的完整實施方案(模擬基帶輸入、RF輸出)。通過使用鎖相環(huán)(PLL)和寬帶集成電壓控制振蕩器(VCO)，本電路支持30 MHz至2.2 GHz范圍內(nèi)的RF頻率。與使用一分頻本地振蕩器(LO)級的調(diào)制器不同（如CN-0285中所述），本電路無需進(jìn)行LO的諧波濾波。 獲得最佳性能的唯一要求，就是以差分方式驅(qū)動調(diào)制器的LO輸入。ADF4351 可提供差分RF輸出，因此極其適用于本電路。PLL轉(zhuǎn)調(diào)制器接口適用于所有集成2XLO分相器的I/Q調(diào)制器和I/Q解調(diào)器。低噪聲LDO確保電源管理方案對相位噪聲和誤差矢量幅度(EVM)沒有不利影響。這種器件組合可以提供30 MHz至2.2 GHz頻率范圍內(nèi)業(yè)界領(lǐng)先的直接變頻發(fā)射機(jī)性能。對于2.2 GHz以上的頻率，則推薦使用一分頻調(diào)制器，如CN-0285所述。 圖1.直接變頻發(fā)射機(jī)(原理示意圖：未顯示所有連接和去耦) ? CN0311 CN0311 | circuit note and reference circuit info 使用LO二分頻調(diào)制器的寬帶低誤差矢量幅度(EVM)直接變頻發(fā)射機(jī) | Analog Devices 本電路為寬帶直接變頻發(fā)射機(jī)模擬部分的完整實施方案(模 擬基帶輸入、RF輸出)。通過使用鎖相環(huán)(PLL)和寬帶集成 電壓控制振蕩器(VCO)，本電路支持30 MHz至2.2 GHz范圍 內(nèi)的RF頻率。與使用一分頻本地振蕩器(LO)級的調(diào)制器不 同（如CN-0285中所述），本電路無需進(jìn)行LO

• 直接變頻發(fā)射機(jī)
• 低誤差向量幅度
• 30MHz至2.2GHz RF輸出

(analog)