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體二極管

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體二極管技術(shù)

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的區(qū)分指南

JFET 和 MOSTFET 之間的主要區(qū)別在于，通過(guò) JFET 的電流通過(guò)反向偏置 PN 結(jié)上的電場(chǎng)引導(dǎo)，而在 MOSFET 中，導(dǎo)電性是由于嵌入在半...

2024-05-08 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管 JFET 并聯(lián)電容 1.1萬(wàn) 0

PMOS基反接防護(hù)電路設(shè)計(jì)詳解

將PMOS的G極接電阻到地（GND），當(dāng)輸入端連接正向電壓時(shí)，電流流過(guò)PMOS的體二極管到負(fù)載端。

2024-04-30 標(biāo)簽：保護(hù)電路 PMOS 體二極管 1707 0

Littelfuse N溝道和P溝道功率MOSFET的比較分析

Littelfuse P溝道功率MOSFETs，雖不及廣泛使用的N溝道MOSFETs出名，在傳統(tǒng)的應(yīng)用范圍也較有限，然而，隨著低壓（LV）應(yīng)用需求的增加...

2024-04-02 標(biāo)簽：MOSFET 電壓控制體二極管 1372 0

什么是電平轉(zhuǎn)換？電平轉(zhuǎn)換電路舉例

比如兩個(gè)芯片之間的供電電壓不一樣，一個(gè)是5V，另一個(gè)是3.3V，那么在兩者之間進(jìn)行通訊建立連接關(guān)系時(shí)，就需要進(jìn)行電平轉(zhuǎn)換。

2024-03-28 標(biāo)簽：CMOS 上拉電阻 TTL 2278 0

功率MOSFET的UIS(UIL)特性深度解析

選擇一個(gè)工作點(diǎn)而不是另一個(gè)工作點(diǎn)作為數(shù)據(jù)表“最大”額定值的一些原因包括：選擇工作點(diǎn)作為在生產(chǎn)線末端測(cè)試時(shí)用于篩選器件的相同工作點(diǎn)，或者出于營(yíng)銷(xiāo)或客戶目的...

2024-02-27 標(biāo)簽：MOSFET 晶體管體二極管 1567 0

功率MOSFET的雪崩效應(yīng)

在關(guān)斷狀態(tài)下，功率MOSFET的體二極管結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場(chǎng)使得漏極...

2024-02-23 標(biāo)簽：MOSFET 晶體管功率MOSFET 926 0

MOS管體二極管是什么？MOS管體二極管的作用

體二極管是MOS管中的一個(gè)重要組成部分，它是襯底B與漏極D之間的PN結(jié)。由于把B極和S極短路了，因此出現(xiàn)了SD之間的體二極管。今天我們簡(jiǎn)單來(lái)講下關(guān)于體二...

2024-01-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 MOS管電源電壓 5208 0

MOS管為什么很容易失效？MOS管有哪些失效？

在電子元件中，金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOS管）是獨(dú)特且重要，然而相比其他元件，MOS管很容易失效，導(dǎo)致電路無(wú)法正常運(yùn)行，因此工程師必須查找原因...

2024-01-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 MOS管靜電放電 981 0

MOS管導(dǎo)通電流能否反著流？

以NMOS為例，如上圖，S和D都是摻雜濃度比較高的N型半導(dǎo)體，襯底為P型半導(dǎo)體，并且襯底和S極是接到一起的。在Vgs電壓大于門(mén)限電壓Vth時(shí)，也就是柵...

2023-12-27 標(biāo)簽：電流 MOS管 NMOS 2252 0

支持多種工作模式的同步整流芯片U7116介紹

同步整流芯片U7116是一款高頻率、高性能、CCM 同步整流開(kāi)關(guān)，可以在 GaN 系統(tǒng)中替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。

2023-12-14 標(biāo)簽：變壓器 DCM 體二極管 1215 0

體二極管帖子

體二極管的續(xù)流能力

標(biāo)簽：MOS管體二極管電源切換 1629 0

CoolMOS CFD2有效提升電源系統(tǒng)的可靠性

標(biāo)簽：英飛凌 LLC 體二極管 2362 0

體二極管資料下載

理解超級(jí)結(jié)技術(shù)立即下載

類(lèi)別：電源技術(shù) 2017-11-10 標(biāo)簽：體二極管柵極電荷 833 0

體二極管資訊

安世半導(dǎo)體宣布推出業(yè)界領(lǐng)先的1200 V碳化硅(SiC)MOSFET

Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布，公司現(xiàn)推出業(yè)界領(lǐng)先的 1200 V 碳化硅(SiC) MOSFET，采用D2PAK-7 表面貼裝器件(SMD)封...

2024-05-22 標(biāo)簽：MOSFET 體二極管充電樁 836 0

納芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產(chǎn)品

納芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產(chǎn)品，該產(chǎn)品RDSon為60mΩ，具有通孔式TO-247-4L與表面貼裝TO-2...

2024-04-17 標(biāo)簽：MOSFET SiC 體二極管 669 0

MOS管導(dǎo)通電流能否反著流？MOS管體二極管能過(guò)多大的電流？

MOS管導(dǎo)通電流能否反著流？MOS管體二極管能過(guò)多大的電流？ MOS管是一種主要用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件。它是一種特殊的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，具有晶體管的放大...

2024-01-23 標(biāo)簽：MOS管體二極管 3202 0

igbt的優(yōu)缺點(diǎn)介紹

igbt的優(yōu)缺點(diǎn)介紹 IGBT的優(yōu)缺點(diǎn)介紹 IGBT是一種晶體管，是MOSFET和BJT集成而成的開(kāi)關(guān)，具有高速開(kāi)關(guān)能力和較低的導(dǎo)通電阻，用于高效率的功...

2023-08-25 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 晶體管 7971 0

通過(guò)雙脈沖測(cè)試評(píng)估MOSFET的反向恢復(fù)特性-什么是雙脈沖測(cè)試？

我們開(kāi)設(shè)了Si功率元器件的新篇章——“評(píng)估篇”。在“通過(guò)雙脈沖測(cè)試評(píng)估MOSFET的反向恢復(fù)特性”中，我們將通過(guò)雙脈沖測(cè)試來(lái)評(píng)估MOSFET體二極管的反...

2023-02-10 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 體二極管 2493 0

晶體二極管

2006-04-16 標(biāo)簽：晶體二極體二極管 2622 0

體二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

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電子發(fā)燒友網(wǎng)于2006年10月成立，是一個(gè)以電子技術(shù)知識(shí)為核心，以工程師為主導(dǎo)的平臺(tái)。致立于為中國(guó)電子工程師的電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)等做出最大貢獻(xiàn)，促進(jìn)中國(guó)電子科技的穩(wěn)步發(fā)展。
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京瓷株式會(huì)社成立于1959年4月1日。川村誠(chéng)為現(xiàn)任代表取締役社長(zhǎng)。資本金為1，157億332萬(wàn)日元。截至2006年3月31日為止的年度銷(xiāo)售額達(dá)到1，181，489百萬(wàn)日元，集團(tuán)公司包括關(guān)聯(lián)公司在內(nèi)共計(jì)183家，員工61，468名。
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eMMC （Embedded Multi Media Card）是MMC協(xié)會(huì)訂立、主要針對(duì)手機(jī)或平板電腦等產(chǎn)品的內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格。
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6G網(wǎng)絡(luò)將是一個(gè)地面無(wú)線與衛(wèi)星通信集成的全連接世界。6G，即第六代移動(dòng)通信標(biāo)準(zhǔn)，也被稱(chēng)為第六代移動(dòng)通信技術(shù)。主要促進(jìn)的就是物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展。截至2019年11月，6G仍在開(kāi)發(fā)階段。6G的傳輸能力可能比5G提升100倍，網(wǎng)絡(luò)延遲也可能從毫秒降到微秒級(jí)。
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WiFi6主要使用了OFDMA、MU-MIMO等技術(shù)，MU-MIMO（多用戶多入多出）技術(shù)允許路由器同時(shí)與多個(gè)設(shè)備通信，而不是依次進(jìn)行通信。MU-MIMO允許路由器一次與四個(gè)設(shè)備通信，WiFi6將允許與多達(dá)8個(gè)設(shè)備通信。WiFi6還利用其他技術(shù)，如OFDMA（正交頻分多址）和發(fā)射波束成形，兩者的作用分別提高效率和網(wǎng)絡(luò)容量。WiFi6最高速率可達(dá)9.6Gbps。
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DC/DC轉(zhuǎn)換器為轉(zhuǎn)變輸入電壓后有效輸出固定電壓的電壓轉(zhuǎn)換器。DC/DC轉(zhuǎn)換器分為三類(lèi)：升壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器、降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器以及升降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器。
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　　賽靈思公司（Xilinx）推出的行業(yè)第一個(gè)可擴(kuò)展處理平臺(tái)Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車(chē)駕駛員輔助以及工廠自動(dòng)化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計(jì)算性能水平。
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電路過(guò)電流過(guò)電壓保護(hù)是為防止主回路短路或直流牽引電動(dòng)機(jī)發(fā)生環(huán)火造成主回路電流過(guò)大而損壞同步牽引發(fā)電機(jī)、主整流柜等電氣設(shè)備，機(jī)車(chē)在牽引、電阻制動(dòng)或自負(fù)載工況下，對(duì)主電路的過(guò)電流和過(guò)電壓均進(jìn)行保護(hù)。
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過(guò)零檢測(cè)指的是在交流系統(tǒng)中，當(dāng)波形從正半周向負(fù)半周轉(zhuǎn)換時(shí)，經(jīng)過(guò)零位時(shí)，系統(tǒng)作出的檢測(cè)。可作開(kāi)關(guān)電路或者頻率檢測(cè)。漏電開(kāi)關(guān)的漏電檢測(cè)是檢測(cè)零序電流。
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特斯拉線圈又叫泰斯拉線圈，因?yàn)檫@是從“Tesla”這個(gè)英文名直接音譯過(guò)來(lái)的。這是一種分布參數(shù)高頻串聯(lián)諧振變壓器，可以獲得上百萬(wàn)伏的高頻電壓。
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　Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正，Vdd多半是單極器件的正。下標(biāo)可以理解為NPN晶體管的集電極C，和PMOS or NMOS場(chǎng)效應(yīng)管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見(jiàn)Vee和Vss，含義一樣。因?yàn)橹髁餍酒Y(jié)構(gòu)是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結(jié)構(gòu)Vcc就為負(fù)了。建議選用芯片時(shí)一定要看清電氣參數(shù)
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測(cè)試電路

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AIoT（人工智能物聯(lián)網(wǎng)）=AI（人工智能）+IoT（物聯(lián)網(wǎng)）。 AIoT融合AI技術(shù)和IoT技術(shù)，通過(guò)物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)生、收集海量的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)于云端、邊緣端，再通過(guò)大數(shù)據(jù)分析，以及更高形式的人工智能，實(shí)現(xiàn)萬(wàn)物數(shù)據(jù)化、萬(wàn)物智聯(lián)化，物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)與人工智能追求的是一個(gè)智能化生態(tài)體系，除了技術(shù)上需要不斷革新，技術(shù)的落地與應(yīng)用更是現(xiàn)階段物聯(lián)網(wǎng)與人工智能領(lǐng)域亟待突破的核心問(wèn)題。
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功率放大器（英文名稱(chēng)：power amplifier），簡(jiǎn)稱(chēng)“功放”，是指在給定失真率條件下，能產(chǎn)生最大功率輸出以驅(qū)動(dòng)某一負(fù)載（例如揚(yáng)聲器）的放大器。
科創(chuàng)板

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擬訂科創(chuàng)板股票上市審核規(guī)則、科創(chuàng)板上市公司并購(gòu)重組審核規(guī)則、上市委員會(huì)及科技創(chuàng)新咨詢委員會(huì)相關(guān)規(guī)則；負(fù)責(zé)科創(chuàng)板股票發(fā)行上市審核和科創(chuàng)板上市公司并購(gòu)重組審核工作，擬訂審核標(biāo)準(zhǔn)、審核程序等；對(duì)發(fā)行人、科創(chuàng)板上市公司及中介機(jī)構(gòu)進(jìn)行自律監(jiān)管等。

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