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全閃存

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全閃存存儲是以全閃存陣列為基礎(chǔ)的儲存系統(tǒng),是完全由固態(tài)存儲介質(zhì)構(gòu)成的獨立的存儲陣列或設(shè)備,與傳統(tǒng)硬盤存儲的主要區(qū)別在于性能更高,處理數(shù)據(jù)更快、更穩(wěn)定。

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全閃存簡介

  全閃存存儲是以全閃存陣列為基礎(chǔ)的儲存系統(tǒng),是完全由固態(tài)存儲介質(zhì)構(gòu)成的獨立的存儲陣列或設(shè)備,與傳統(tǒng)硬盤存儲的主要區(qū)別在于性能更高,處理數(shù)據(jù)更快、更穩(wěn)定。

  閃存(Flash Memory)是一種長壽命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息)的存儲器,數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位(注意:NOR Flash 為字節(jié)存儲。),區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。

  閃存是電子可擦除只讀存儲器(EEPROM)的變種,閃存與EEPROM不同的是,EEPROM能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫,而閃存的大部分芯片需要塊擦除。

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