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標簽 > 功率元器件
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歷經Formula E三季的磨礪,羅姆SiC功率元器件與文圖瑞車隊一同走過了怎樣的歷程?在香港站文圖瑞車隊勇奪冠軍,這背后離不開技術人員的默默付出。
隨著5G信號逐漸大規模覆蓋,大量5G基站的新建與重建以及4G基站的擴容已經逐步開工,這勢必會為電源市場帶來新的機會,對鋰電池、機房溫控設備、基礎元件的需...
SiC-MOSFET與Si-MOSFET的區別 SiC-MOSFET與IGBT的區別
率轉換電路中的晶體管的作用非常重要,對其改良可以實現低損耗與應用尺寸小型化。SiC 功率元器件半導體具有低損耗、高速開關、高溫工作等優勢。
SiC MOSFET:柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-浪涌抑制電路
在上一篇文章中,簡單介紹了SiC功率元器件中柵極-源極電壓中產生的浪涌。從本文開始,將介紹針對所產生的SiC功率元器件中浪涌的對策。本文先介紹浪涌抑制電路。
羅姆參展“2018第二十屆中國國際工業博覽會”帶來SiC功率元器件為中心的電源解決方案
全球知名半導體制造商羅姆(ROHM)于2018年9月19日-23日在國家會展中心(上海)舉行的第二十屆中國國際工業博覽會上首次亮相。在為期5天的展會上,...
【大大魚干的類比電源講堂】Infineon IGBT 的死區計算
在現代工業的各種應用中,經常使用帶有功率元器件(MOFET、IGBT……)當作輸出的驅動電路,其中最常見、也最容易造成問題的不外乎就是會上、下交替導通的...
羅姆制定中期經營計劃“MOVING FORWARD to 2025”
全球知名半導體制造商羅姆(總部位于日本京都市)制定了中期經營計劃“MOVING FORWARD to 2025”,旨在根據企業理念和經營愿景,通過業務活...
在以前的ECU中,大多數將繼電器用作驅動電路中的開關元件,后來這種機械繼電器開始向半導體開關轉換。并且這一趨勢迅速席卷了整車各個應用,尤其是在電機和加熱...
與傳統的硅器件相比,碳化硅(SiC)器件由于擁有低導通電阻特性以及出色的高溫、高頻和高壓性能,已經成為下一代低損耗半導體可行的候選器件。并且SiC讓設計...
ROHM的SiC功率元器件被應用于UAES的電動汽車車載充電器
ROHM的SiC MOSFET被UAES公司的OBC產品采用,與以往的OBC相比,新OBC所在單元的效率提高了1%(效率高達95.7%,功率損耗比以往降...
隨著新能源汽車、光伏和儲能等市場的快速發展,國內的碳化硅產業正迅速進入商業化階段。國際功率半導體巨頭對該產業表達了濃厚的興趣,并與國內企業合作,積極追趕...
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