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      標(biāo)簽　>　功率半導(dǎo)體

      功率半導(dǎo)體

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      功率半導(dǎo)體器件又被稱為電力電子器件，是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ)，也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。

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      • 相關(guān)內(nèi)容

      功率半導(dǎo)體簡(jiǎn)介

      　　《功率半導(dǎo)體》是2009年02月機(jī)械工業(yè)出版社出版的圖書(shū)，作者是（瑞士）林德。《功率半導(dǎo)體 器件 與應(yīng)用》基于前兩章的半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)，詳細(xì)介紹了目前最主要的幾類功率半導(dǎo)體器件，包括pin二極管、晶閘管、門(mén)極關(guān)斷晶閘管、門(mén)極換流晶閘管、功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管和絕緣柵雙極型晶體管。

      　　內(nèi)容簡(jiǎn)介

      　　功率半導(dǎo)體器件又被稱為電力電子器件，是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ)，也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。作為基礎(chǔ)內(nèi)容，書(shū)中詳細(xì)描述了上述器件的工作原理和特性。同時(shí)，作為長(zhǎng)期從事新型功率半導(dǎo)體器件研發(fā)的資深專家，作者還給出了上述各類器件在不同工作條件下的比較分析，力圖全面反映功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢(shì)。

      功率半導(dǎo)體百科

      　　《功率半導(dǎo)體》是2009年02月機(jī)械工業(yè)出版社出版的圖書(shū)，作者是（瑞士）林德。《功率半導(dǎo)體 器件 與應(yīng)用》基于前兩章的半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)，詳細(xì)介紹了目前最主要的幾類功率半導(dǎo)體器件，包括pin二極管、晶閘管、門(mén)極關(guān)斷晶閘管、門(mén)極換流晶閘管、功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管和絕緣柵雙極型晶體管。

      　　內(nèi)容簡(jiǎn)介

      　　功率半導(dǎo)體器件又被稱為電力電子器件，是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ)，也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。作為基礎(chǔ)內(nèi)容，書(shū)中詳細(xì)描述了上述器件的工作原理和特性。同時(shí)，作為長(zhǎng)期從事新型功率半導(dǎo)體器件研發(fā)的資深專家，作者還給出了上述各類器件在不同工作條件下的比較分析，力圖全面反映功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢(shì)。

      　　《功率半導(dǎo)體 器件 與應(yīng)用》既可以作為電氣工程專業(yè)、自動(dòng)化專業(yè)本科生和研究生的教學(xué)用書(shū)，也可作為電力電子領(lǐng)域工程技術(shù)人員的參考用書(shū)。

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      功率半導(dǎo)體知識(shí)

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      功率半導(dǎo)體技術(shù)

      13種常用的功率半導(dǎo)體器件介紹

      電力電子器件（Power Electronic Device），又稱為功率半導(dǎo)體器件，用于電能變換和電能控制電路中的大功率（通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安，電...

      2018-12-27 標(biāo)簽：MOS功率半導(dǎo)體 5.0萬(wàn) 0

      IGBT中米勒效應(yīng)的影響和處理方法

      IGBT中米勒效應(yīng)的影響和處理方法

      米勒效應(yīng)在單電源門(mén)極驅(qū)動(dòng)過(guò)程中非常顯著。基于門(mén)極G與集電極C之間的耦合，在IGBT關(guān)斷期間會(huì)產(chǎn)生一個(gè)很高的瞬態(tài)dv/dt，這樣會(huì)引發(fā)門(mén)極VGE間電壓升高...

      2019-02-04 標(biāo)簽：MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 3.9萬(wàn) 0

      什么是功率半導(dǎo)體？IGBT 的下一步是什么？

      什么是功率半導(dǎo)體？IGBT 的下一步是什么？

      BC-IGBT 由結(jié)構(gòu)頂部和底部的柵極組成。東京大學(xué)的研究員 Takuya Saraya 在論文中說(shuō)：“IGBT 的一個(gè)主要缺點(diǎn)是其開(kāi)關(guān)頻率相對(duì)較低，因...

      2022-06-15 標(biāo)簽：MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 3.2萬(wàn) 0

      基于碰撞電離率的平行平面結(jié)及晶閘管研究

      基于碰撞電離率的平行平面結(jié)及晶閘管研究

      功率半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)是平行平面結(jié)，結(jié)的擊穿與體內(nèi)載流子的碰撞電離密切相關(guān)，本次研究的重點(diǎn)結(jié)構(gòu)是晶閘管，而晶閘管的阻斷與開(kāi)啟都與體內(nèi)載流子的運(yùn)動(dòng)有關(guān)。

      2023-11-27 標(biāo)簽：晶閘管擊穿電壓MATLAB仿真 2.2萬(wàn) 0

      門(mén)極可關(guān)斷晶閘管(GTO) 和可控硅 (SCR) 的區(qū)別淺析

      門(mén)極可關(guān)斷晶閘管(GTO) 和可控硅 (SCR) 的區(qū)別淺析

      可控硅（SCR）和門(mén)極可關(guān)斷晶閘管（GTO）都是大功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件，廣泛應(yīng)用于電力控制和電力轉(zhuǎn)換領(lǐng)域。

      2024-02-01 標(biāo)簽：可控硅晶閘管SCR 2.0萬(wàn) 0

      氧化鎵在電子器件應(yīng)用的現(xiàn)狀和潛在發(fā)展

      氧化鎵在電子器件應(yīng)用的現(xiàn)狀和潛在發(fā)展

      氧化鎵應(yīng)用范圍從實(shí)現(xiàn)可用到可靠的組件，最后再到可插入可持續(xù)市場(chǎng)基礎(chǔ)設(shè)施等各個(gè)方面。但Ga2O3還是存在一個(gè)重要的直接缺點(diǎn)：它的導(dǎo)熱率很低（10-30 W...

      2019-01-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率半導(dǎo)體氧化鎵 1.8萬(wàn) 0

      關(guān)于功率半導(dǎo)體的性能分析和應(yīng)用介紹

      關(guān)于功率半導(dǎo)體的性能分析和應(yīng)用介紹

      Nexperia 是世界一流標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品的首選生產(chǎn)商、供應(yīng)商， 專注于邏輯、分立器件和 MOSFET 市場(chǎng)，擁有恩智浦半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)部門(mén)， 以及位于英國(guó)和德國(guó)...

      2019-09-02 標(biāo)簽：物聯(lián)網(wǎng)微處理器功率半導(dǎo)體 1.7萬(wàn) 0

      英飛凌IGBT7和EmCon7分析和討論

      為了研究FS設(shè)計(jì)和性能之間的影響，本文對(duì)三種設(shè)計(jì)的開(kāi)關(guān)曲線展開(kāi)了分析。圖6顯示了基于三種不同設(shè)計(jì)的新的二極管與EC4相比的二極管恢復(fù)特性。對(duì)二極管來(lái)說(shuō)，...

      2019-02-20 標(biāo)簽：英飛凌二極管變頻器 1.7萬(wàn) 0

      可控硅的工作原理 可控硅怎么接線

      可控硅，也稱為硅控整流器（SCR），是一種大功率半導(dǎo)體器件，主要用于交流電路中的相位控制、整流、穩(wěn)壓、無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)等應(yīng)用。

      2024-05-29 標(biāo)簽：可控硅SCR交流電路 1.6萬(wàn) 0

      5G行情下氮化鎵（GaN）還存在哪些缺點(diǎn)？是下一個(gè)風(fēng)口？

      由于2 月13 日小米在新品發(fā)表會(huì)中，除了推出小米10 系列外，更宣布采用氮化鎵(GaN) 作為原料的充電器，一時(shí)間原本GaN 在射頻領(lǐng)域熱燒的話題，快...

      2020-04-14 標(biāo)簽：氮化鎵GaN功率半導(dǎo)體 1.6萬(wàn) 1

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      功率半導(dǎo)體資料下載

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      功率半導(dǎo)體資訊

      國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體上市公司排名

      半導(dǎo)體是許多工業(yè)整機(jī)設(shè)備的核心，普遍應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、消費(fèi)類電子、網(wǎng)絡(luò)通信、汽車電子等核心領(lǐng)域。關(guān)于國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體上市公司市值詳細(xì)排名如下文

      2018-01-11 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體 8.9萬(wàn) 0

      啥是碳化硅（SiC）?SiC和Si性能大比拼

      啥是碳化硅（SiC）?SiC和Si性能大比拼

      SiC在天然環(huán)境下非常罕見(jiàn)，最早是人們?cè)谔?yáng)系剛誕生的46億年前的隕石中，發(fā)現(xiàn)了少量這種物質(zhì)，所以它又被稱為“經(jīng)歷46億年時(shí)光之旅的半導(dǎo)體材料”。

      2019-07-24 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體碳化硅 8.9萬(wàn) 0

      IR將功率半導(dǎo)體觸角伸往消費(fèi)市場(chǎng)

      有60幾年歷史的美商國(guó)際整流器公司（IR）表示，其功率半導(dǎo)體產(chǎn)品除了既有的資料儲(chǔ)存等企業(yè)市場(chǎng)，也將把觸角伸往消費(fèi)市場(chǎng)，包括超輕薄筆電（Ultrabook...

      2012-02-15 標(biāo)簽：電源IR功率半導(dǎo)體 4.2萬(wàn) 0

      功率半導(dǎo)體元件的主要用途是什么？功率半導(dǎo)體市場(chǎng)分析

      功率半導(dǎo)體元件或簡(jiǎn)稱功率元件，是電子裝置的電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心；主要用途包括變頻、整流、變壓、功率放大、功率控制等，并同時(shí)可具有節(jié)能的功效，因此功率...

      2018-07-17 標(biāo)簽：MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 2.9萬(wàn) 1

      功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模及發(fā)展趨勢(shì)分析

      功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模及發(fā)展趨勢(shì)分析

      功率半導(dǎo)體，即依托電力電子技術(shù)、以功率處理為核心的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)； 與功率半導(dǎo)體這個(gè)概念相對(duì)應(yīng)的，則是更為大眾所熟知的依托微電子技術(shù)、 保持小功率的特點(diǎn)、以...

      2019-03-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率半導(dǎo)體 2.7萬(wàn) 0

      中國(guó)半導(dǎo)體的困局和功率半導(dǎo)體未來(lái)走向

      中國(guó)半導(dǎo)體的困局和功率半導(dǎo)體未來(lái)走向

      半導(dǎo)體制造集各學(xué)科之極致。半導(dǎo)體的制造步驟超過(guò)上千步，并涉及到多個(gè)學(xué)科，是一門(mén)集各學(xué)科的大成的巨大工程。

      2018-06-11 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體東微半導(dǎo)體 2.0萬(wàn) 0

      功率半導(dǎo)體是什么，igbt產(chǎn)品又是如何分類的

      功率半導(dǎo)體是什么，igbt產(chǎn)品又是如何分類的

      關(guān)于IGBT，小編已經(jīng)寫(xiě)過(guò)很多篇文章了。今天主要來(lái)講講什么是功率半導(dǎo)體？IGBT產(chǎn)品又是如何分類的？與芯片又有哪些不同呢？

      2022-03-11 標(biāo)簽：IGBT功率半導(dǎo)體 1.5萬(wàn) 0

      國(guó)產(chǎn)碳化硅最新進(jìn)展，功率IDM龍頭低調(diào)入場(chǎng)！

      電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）碳化硅SiC是寬禁帶半導(dǎo)體材料的典型代表，具有高禁帶寬度、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)和高熱導(dǎo)率等優(yōu)良特性，成為制作高溫、高頻和大功率電力電...

      2020-06-18 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體華潤(rùn)微電子碳化硅 1.5萬(wàn) 0

      2018年功率半導(dǎo)體可能如IC業(yè)一樣迎來(lái)發(fā)展熱潮

      1月，華潤(rùn)微宣布將在重慶打造全國(guó)最大的功率半導(dǎo)體生產(chǎn)基地;去年年底，士蘭微發(fā)布公告在廈門(mén)建設(shè)兩條12英寸特色工藝生產(chǎn)線，主要產(chǎn)品為MEMS和功率半導(dǎo)體。...

      2018-03-19 標(biāo)簽：士蘭微功率半導(dǎo)體 1.4萬(wàn) 0

      從存儲(chǔ)芯片、模擬芯片、功率半導(dǎo)體三大板塊速看慕展！

      7月5日，為期3天的慕尼黑上海電子展圓滿落幕，與往年有所不同，今年的慕展國(guó)際芯片大廠有所減少，估計(jì)是受到了疫情的影響。 今年參展的國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體廠商主要有存...

      2020-07-07 標(biāo)簽：存儲(chǔ)芯片功率半導(dǎo)體模擬芯片 1.4萬(wàn) 0

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      功率半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)

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      • 快充技術(shù)
        快充技術(shù)
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      • 尼吉康
        尼吉康
        +關(guān)注
      • trinamic
        trinamic
        +關(guān)注
        TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
      • 無(wú)線供電
        無(wú)線供電
        +關(guān)注
        無(wú)線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無(wú)需任何物理上的連接，電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無(wú)線供電。
      • 寧德時(shí)代
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        +關(guān)注
      • 艾德克斯
        艾德克斯
        +關(guān)注
        ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過(guò)不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
      • 快充
        快充
        +關(guān)注
        目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。 另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
      • Qi標(biāo)準(zhǔn)
        Qi標(biāo)準(zhǔn)
        +關(guān)注
        國(guó)際無(wú)線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚(yú)臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無(wú)線充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
      • Pebble
        Pebble
        +關(guān)注
        Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬(wàn)美元。
      • WPC
        WPC
        +關(guān)注
      • 手機(jī)快充
        手機(jī)快充
        +關(guān)注
        手機(jī)快充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。
      • A4WP
        A4WP
        +關(guān)注
        A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無(wú)線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
      • 電池系統(tǒng)
        電池系統(tǒng)
        +關(guān)注
        　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過(guò)充電和過(guò)放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
      • MAX660
        MAX660
        +關(guān)注
        MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
      • 智能變電站
        智能變電站
        +關(guān)注
        采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
      • USB PD
        USB PD
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      • 太陽(yáng)能充電
        太陽(yáng)能充電
        +關(guān)注
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        PSR
        +關(guān)注
      • 光伏并網(wǎng)逆變器
        光伏并網(wǎng)逆變器
        +關(guān)注
        逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過(guò)交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
      • 浪涌抑制器
        浪涌抑制器
        +關(guān)注
      • USB-PD
        USB-PD
        +關(guān)注
      • 納微半導(dǎo)體
        納微半導(dǎo)體
        +關(guān)注
        Navitas 成立于 2014 年，開(kāi)發(fā)的超高效氮化鎵 （GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來(lái)源于拉丁語(yǔ)中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開(kāi)發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)的能源。
      • PWM信號(hào)
        PWM信號(hào)
        +關(guān)注
        脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來(lái)調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
      • 醫(yī)療電源
        醫(yī)療電源
        +關(guān)注
      • 系統(tǒng)電源
        系統(tǒng)電源
        +關(guān)注
      • DCDC電源
        DCDC電源
        +關(guān)注
        DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無(wú)隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
      • 共享充電寶
        共享充電寶
        +關(guān)注
        共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過(guò)440萬(wàn)，用戶規(guī)模超過(guò)2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來(lái)越敏感。
      • LT8705
        LT8705
        +關(guān)注
      • UCD3138
        UCD3138
        +關(guān)注
      • 董明珠
        董明珠
        +關(guān)注
        董明珠， 出生于江蘇南京，企業(yè)家 ，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。 　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開(kāi)始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷人物”
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