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      標簽　>　功率器件

      功率器件

      功率器件

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      功率器件，就是輸出功率比較大的電子元器件，像大音響系統中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件，還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細介紹了：功率器件定義，功率器件龍頭企業，最新功率器件，分立器件與功率器件，功率器件測試，功率半導體器件基礎。

      文章：1638個 瀏覽：90335次 帖子：49個

      功率器件技術

      功率循環對IGBT 壽命的影響——準確估算功率器件的壽命

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      2024-04-26 標簽：功率器件IGBTS功率循環測試 1129 0

      碳化硅功率器件：革新電力電子的未來龍頭

      在當今追求高效能、高耐用性的電力電子領域，碳化硅（SiC）功率器件憑借其卓越性能，成為了領域內的明星產品，它的出現預示著一次技術革命的悄然到來。

      2024-04-26 標簽：逆變器功率器件SiC 594 0

      功率循環對IGBT壽命有何影響？如何準確估算功率器件的壽命呢？

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      運行過程中產生的高結溫和高溫度梯度會引起機械應力，尤其是在具有不同熱膨脹系數的材料之間的接觸面上，這可能導致這些器件性能退化甚至完全失效。

      2024-04-24 標簽：二極管IGBT功率器件 1118 0

      晶體管級異質集成技術及其實用案例分析

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      化合物半導體微波器件的典型特點是不同結型器件性能差異明顯，表1給出了幾種常用的化合物半導體微波器件與Si CMOS性能對比，另外化合物半導體還擁有GaA...

      2024-04-24 標簽：集成電路二極管晶體管 1023 0

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      高溫柵偏（HighTemperatureGateBias，HTGB）、高溫反偏（HighTemperatureReverseBias，HTRB）、高溫高...

      2024-04-23 標簽：功率器件可靠性測試半導體服務 1200 0

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      作者：Bill Schweber 對更高效利用能源的推動、更嚴格的法規要求以及低溫運行的技術優勢，所有這些都為近來降低電機功耗的舉措提供了支持。雖然硅 ...

      2024-05-05 標簽：變頻器電機驅動功率器件 463 0

      SiC器件的工作原理與主要優勢！

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      在追求能源效率和對高性能電力電子系統的需求不斷增長的今天，碳化硅（SiC）功率器件憑借其卓越的電氣性能和熱穩定性，正在變革傳統功率電子技術。

      2024-04-18 標簽：電動汽車功率器件SiC 1056 0

      碳化硅（SiC）功率器件探討：未來的能源解決方案

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      隨著全球對更高效、更可持續能源解決方案的需求不斷增加，碳化硅（SiC）功率器件因其卓越的物理和電氣特性而成為電力電子領域的一個重要進展。

      2024-04-15 標簽：導通電阻功率器件SiC 664 0

      深入探討碳化硅功率器件優勢、應用

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      碳化硅是一種寬帶隙半導體材料，具有比硅（Si）更優越的物理和化學特性，包括更高的臨界擊穿場強、更大的熱導率、更高的工作溫度和更快的開關速度。

      2024-04-12 標簽：變壓器電感器功率器件 495 0

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      碳化硅是一種寬帶隙半導體材料，相比于傳統的硅材料，具有更高的熱導率、更大的電場擊穿強度和更高的載流子遷移率等特點。

      2024-04-10 標簽：電動汽車功率器件SiC 1285 0

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      碳化硅作為第三代半導體具有耐高溫、耐高壓、高頻率、抗輻射等優異性能采用碳化硅功率器件可使電動汽車或混合動力汽車功率轉化能耗損失降低20%，在OBC產品上...

      2024-04-10 標簽：電動汽車功率器件碳化硅 608 0

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      碳化硅具有比硅更高的熱導率、更寬的能帶寬度和更高的電子飽和漂移速度。這些特性使得SiC功率器件在高溫、高頻以及高電壓應用中表現優異。

      2024-04-09 標簽：功率器件SiC碳化硅 293 0

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      SiC功率器件市場正處于快速增長階段，特別是在汽車電動化趨勢的推動下，其市場規模預計將持續擴大。 根據Yole Group的報告，汽車行業對SiC功...

      2024-04-07 標簽：新能源汽車晶圓功率器件 784 0

      如何增強SiC功率器件的性能與可靠性？

      電動汽車 (EV) 市場的快速增長推動了對下一代功率半導體的需求，尤其是對碳化硅 (SiC) 半導體的需求尤為強勁。

      2024-04-07 標簽：電動汽車半導體功率器件 674 0

      碳化硅功率器件：能效革新的催化劑！

      隨著全球對能效和環保的要求日益提高，傳統硅基半導體器件逐漸暴露出其性能瓶頸，特別是在高溫、高壓和高頻應用場景中。

      2024-04-02 標簽：半導體逆變器功率器件 518 0

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      SiC市場格局仍由海外巨頭主導，市占率排名依次是：意法半導體、英飛凌、wolfspeed、羅姆、安森美、三菱電機等。

      2024-04-01 標簽：功率器件SiC碳化硅 2762 0

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      2024-03-28 標簽：功率器件石墨烯GaN 765 0

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      碳化硅功率器件的核心在于其能夠在極端條件下高效地控制電力的流動。SiC材料的寬帶隙特性意味著它在高溫下仍能維持較高的能量障礙，從而保持穩定的半導體特性。

      2024-03-26 標簽：功率器件SiC碳化硅 324 0

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      由于IGBT模塊自身有一定的功耗，IGBT模塊本身會發熱。在一定外殼散熱條件下，功率器件存在一定的溫升（即殼溫與環境溫度的差異）。

      2024-03-22 標簽：散熱器IGBT功率器件 1.0萬 0

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