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      標簽　>　反應離子刻蝕

      反應離子刻蝕

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      文章：4個 瀏覽：1802次 帖子：0個

      反應離子刻蝕技術

      簡要說明濕法蝕刻和干法蝕刻每種蝕刻技術的特點和區(qū)別

      蝕刻不是像沉積或鍵合那樣的“加”過程，而是“減”過程。另外，根據(jù)刮削方式的不同，分為兩大類，分別稱為“濕法蝕刻”和“干法蝕刻”。簡單來說，前者是熔法，后...

      2023-01-29 標簽：反應離子刻蝕 6142 0

      工藝參數(shù)對微溝槽缺陷形成的影響并改進微溝槽缺陷

      隨著集成電路密度的不斷提高，多晶硅柵的線寬不斷變小，柵氧化層的厚度繼續(xù)變薄，多晶硅的刻蝕變得越來越關鍵。多晶硅柵的形貌控制，柵氧化層二氧化硅的損失等關鍵...

      2017-12-20 標簽：集成電路制造反應離子刻蝕 4539 0

      純化學刻蝕、純物理刻蝕及反應式離子刻蝕介紹

      刻蝕有三種:純化學刻蝕、純物理刻蝕，以及介于兩者之間的反應式離子刻蝕（ReactiveIonEtch,RIE）。

      2023-02-20 標簽：PVD反應離子刻蝕 3847 0

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      反應離子刻蝕帖子

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      反應離子刻蝕資訊

      離子刻蝕機 解剖芯片

      責任編輯：xj 原文標題：芯片解剖，逐層剝離 文章出處：【微信公眾號：上海季豐電子】歡迎添加關注！文章轉載請注明出處。

      2020-09-27 標簽：芯片反應離子刻蝕 2332 0

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      反應離子刻蝕數(shù)據(jù)手冊

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