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標(biāo)簽 > 基本半導(dǎo)體
深圳基本半導(dǎo)體有限公司是中國第三代半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè),專業(yè)從事碳化硅功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化,在深圳坪山、深圳南山、北京亦莊、南京浦口、日本名古屋設(shè)有研發(fā)中心。
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型號 | 描述 | 數(shù)據(jù)手冊 | 參考價格 |
---|---|---|---|
B1D08065E | 直流反向耐壓(Vr):650V;平均整流電流(Io):21A;正向壓降(Vf):1.45V@8A; |
獲取價格
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B1D04065F |
獲取價格
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B1D20120H | 二極管配置:獨(dú)立式;直流反向耐壓(Vr):1.2kV;平均整流電流(Io):70A;正向壓降(Vf):1.46V@20A;反向電流(Ir):6.75uA@1.2kV; |
獲取價格
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B1D10065KF | 二極管配置:獨(dú)立式;直流反向耐壓(Vr):650V;平均整流電流(Io):24A;正向壓降(Vf):1.48V@10A;反向電流(Ir):70uA@650V; |
獲取價格
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B1D10065E | 二極管配置:獨(dú)立式;直流反向耐壓(Vr):650V;平均整流電流(Io):29A;正向壓降(Vf):1.44V@10A;反向電流(Ir):70uA@650V; |
獲取價格
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B1D10120F | 二極管配置:獨(dú)立式;直流反向耐壓(Vr):1.2kV;平均整流電流(Io):30A;正向壓降(Vf):1.46V@10A;反向電流(Ir):4.5uA@1.2kV; |
獲取價格
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B1D10120H | 直流反向耐壓(Vr):1.2kV;平均整流電流(Io):35A;正向壓降(Vf):1.46V@10A; |
獲取價格
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B1D08065F | 直流反向耐壓(Vr):650V;平均整流電流(Io):21A;正向壓降(Vf):1.45V@8A; |
獲取價格
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B1D10065F | 二極管配置:獨(dú)立式;直流反向耐壓(Vr):650V;平均整流電流(Io):32A;正向壓降(Vf):1.43V@10A;反向電流(Ir):70uA@650V; |
獲取價格
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B1D04065E | 直流反向耐壓(Vr):650V;平均整流電流(Io):14A;正向壓降(Vf):1.45V@4A; |
獲取價格
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B1D04065K | 直流反向耐壓(Vr):650V;平均整流電流(Io):14A;正向壓降(Vf):1.45V@4A; |
獲取價格
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B1D06065E | 直流反向耐壓(Vr):650V;平均整流電流(Io):18A;正向壓降(Vf):1.45V@6A; |
獲取價格
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