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標(biāo)簽 > 外延片
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ATA-2161高壓放大器基于單端接觸原理的LED外延片無損檢測(cè)的應(yīng)用
實(shí)驗(yàn)名稱:基于單端接觸原理的LED外延片無損檢測(cè)實(shí)驗(yàn)內(nèi)容:基于單注入模式,使用新型檢測(cè)系統(tǒng)獲取LED外延片的電學(xué)參數(shù)與光學(xué)參數(shù)。研究方向:LED外延片檢...
外延片和擴(kuò)散片都是半導(dǎo)體制造過程中使用的材料。它們的主要區(qū)別在于制造過程和應(yīng)用領(lǐng)域。 制造過程: 外延片是通過在單晶硅片上生長(zhǎng)一層或多層半導(dǎo)體材料來制造...
2024-07-12 標(biāo)簽:集成電路晶體管半導(dǎo)體制程 700 0
外延片和拋光片是兩種不同的半導(dǎo)體材料加工工藝,它們?cè)谥圃爝^程中有著不同的應(yīng)用和特點(diǎn)。本文將介紹外延片和拋光片的區(qū)別。 一、外延片的定義和制備方法 外延片...
2024-07-12 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料金屬外延片 1268 0
對(duì)于摻雜的SiC外延片,紅外光譜測(cè)量膜厚為通用的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。碳化硅襯底與外延層因摻雜濃度的不同導(dǎo)致兩者具有不同的折射率,因此試樣的反射光譜會(huì)出現(xiàn)反映外延層...
氮化鎵外延片工藝是一種用于制備氮化鎵外延片的工藝,主要包括表面清洗、氮化處理、清洗處理、干燥處理和檢測(cè)處理等步驟。
氮化鎵外延片指采用外延方法,使單晶襯底上生長(zhǎng)一層或多層氮化鎵薄膜而制成的產(chǎn)品。近年來,在國(guó)家政策支持下,我國(guó)氮化鎵外延片行業(yè)規(guī)模不斷擴(kuò)大。
氮化鎵外延片生長(zhǎng)工藝較為復(fù)雜,多采用兩步生長(zhǎng)法,需經(jīng)過高溫烘烤、緩沖層生長(zhǎng)、重結(jié)晶、退火處理等流程。兩步生長(zhǎng)法通過控制溫度,以防止氮化鎵外延片因晶格失配...
光電子應(yīng)用推動(dòng)砷化鎵晶圓和外延片市場(chǎng)進(jìn)入新時(shí)代
在GaAs射頻市場(chǎng)獲得成功之后,GaAs光電子正成為一顆冉冉升起的新星 據(jù)麥姆斯咨詢介紹,作為最成熟的化合物半導(dǎo)體之一,GaAs無處不在,儼然成為每部智...
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