半導(dǎo)體功率轉(zhuǎn)換拓?fù)浼軜?gòu)和挑戰(zhàn) 寬帶隙半導(dǎo)體的技術(shù)進(jìn)展

功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)者的終極目標(biāo)是以最高效率將來(lái)自配電系統(tǒng)（公用事業(yè)AC或DC匯流排）電壓轉(zhuǎn)換為不同DC或AC電平。

2021-03-08 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體寬帶隙器件寬帶隙半導(dǎo)體 4275 0

Nexperia與科世達(dá)達(dá)成合作 共同推進(jìn)汽車應(yīng)用寬帶隙器件的生產(chǎn)

近日，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司Nexperia宣布與知名汽車供應(yīng)商科世達(dá)(KOSTAL)建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系。這一合作將專注于開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)符合汽車行業(yè)嚴(yán)格規(guī)范...

2024-11-06 標(biāo)簽：Nexperia科世達(dá)寬帶隙器件 230 0

理想封裝設(shè)計(jì)的碳化硅陶瓷基板及寬帶隙器件

? ? ? 針對(duì)要求最嚴(yán)苛的功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用的功率分立元件和模塊的封裝趨勢(shì)，從而引入改進(jìn)的半導(dǎo)體器件。即碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬帶隙類型，將顯...

2022-11-16 標(biāo)簽：封裝陶瓷基板寬帶隙器件 772 0

寬帶隙器件對(duì)于下一代空間系統(tǒng)的發(fā)展具有重要意義

　長(zhǎng)期以來(lái)，硅基器件一直是半導(dǎo)體領(lǐng)域的基準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)。從 2007 年開(kāi)始，由于摩爾定律的失敗，復(fù)合材料被開(kāi)發(fā)出來(lái)，特別關(guān)注寬帶隙半導(dǎo)體，因?yàn)樗鼈兝昧酥匾?..

2022-09-11 標(biāo)簽：傳感器氮化鎵半導(dǎo)體器件 569 0

使用 WBG 半導(dǎo)體進(jìn)行設(shè)計(jì)需要一些額外的專業(yè)知識(shí)

電磁干擾、并聯(lián)、布局都是工程師懂的東西，但是從硅基芯片過(guò)渡到碳化硅或?qū)拵镀骷r(shí)，就需要多注意這些問(wèn)題了

2022-08-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SiCGaN 835 0

寬帶隙半導(dǎo)體：到電動(dòng)汽車及以后

在電力電子領(lǐng)域，硅在過(guò)去的 40 年中已成為主流技術(shù)；今天，硅功率晶體管和二極管是如此普遍和普遍，以這種材料為基礎(chǔ)的設(shè)備在我們的生活中無(wú)處不在。這種采用...

2022-08-05 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車轉(zhuǎn)換器半導(dǎo)體 872 0

寬帶隙技術(shù)對(duì)電源轉(zhuǎn)換器的好處

眾所周知，與硅相比，碳化硅 （SiC） 和氮化鎵 （GaN） 等寬帶隙 （WBG） 半導(dǎo)體可提供卓越的性能。這些包括更高的效率、更高的開(kāi)關(guān)頻率、更高的工...

2022-04-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電源轉(zhuǎn)換器寬帶隙器件 1962 0

寬帶隙器件的應(yīng)用有哪些

寬帶隙 （WBG） 半導(dǎo)體器件的集成在多種技術(shù)應(yīng)用中作為硅技術(shù)的替代品是一個(gè)不斷增長(zhǎng)的市場(chǎng)，它可以提供效率和功率密度的改進(jìn)，這對(duì)能源和成本節(jié)約有很大的影...

2022-04-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體器件寬帶隙器件 2100 0

寬帶隙器件如何在汽車雙向電源轉(zhuǎn)換中增加價(jià)值

寬帶隙（WBG）開(kāi)關(guān)器件由于其高速度和高效率而得到應(yīng)用，這種器件可減小功率轉(zhuǎn)換器的尺寸、重量和損耗。

2020-04-14 標(biāo)簽：電源轉(zhuǎn)換寬帶隙器件 712 0