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標(biāo)簽 > 寄生電容
寄生的含義就是本來(lái)沒(méi)有在那個(gè)地方設(shè)計(jì)電容，但由于布線之間總是有互容，互容就好像是寄生在布線之間的一樣，所以叫寄生電容，又稱雜散電容。寄生電容一般是指電感，電阻，芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來(lái)的電容特性。實(shí)際上，一個(gè)電容等效于一個(gè)電容，一個(gè)電感，和一個(gè)電阻的串聯(lián)，在低頻情況下表現(xiàn)不是很明顯，而在高頻情況下，等效值會(huì)增大，不能忽略。
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普通探頭和差分探頭寄生電容對(duì)測(cè)試波形的影響
在電子測(cè)試和測(cè)量領(lǐng)域，探頭是連接被測(cè)設(shè)備(DUT)與測(cè)量?jī)x器(如示波器)之間的關(guān)鍵組件。探頭的性能直接影響到測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性和可靠性。其中，寄生電容是探...
瑤芯榮獲“中國(guó)IC設(shè)計(jì)成就獎(jiǎng)-年度最佳傳感器/MEMS獎(jiǎng)項(xiàng)”
2024 IIC國(guó)際集成電路展覽會(huì)今日在上海張江科學(xué)會(huì)堂盛大閉幕。瑤芯作為國(guó)內(nèi)功率器件和數(shù)模混合信號(hào)鏈芯片產(chǎn)品的領(lǐng)軍企業(yè)，攜MEMS、IGBT、SiC ...
碳納米管晶體管兼容已有半導(dǎo)體制程工藝，解決碳納米管均勻可控?fù)诫s難題
研究中，他們提出了一種頂柵互補(bǔ)碳納米管金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)（Top Gate complementary CNT MOSFETs）。在該...
寄生電容對(duì)MOS管快速關(guān)斷的影響 MOS（Metal Oxide Semiconductor）管是一種晶體管，它以其高性能和可靠性而廣泛應(yīng)用于許多電子設(shè)...
低溫對(duì)電子元器件影響是什么？電子元器件低溫失效原因有哪些？
低溫對(duì)電子元器件影響是什么？電子元器件低溫失效原因有哪些？ 隨著科技的進(jìn)步和應(yīng)用范圍的不斷擴(kuò)大，人們對(duì)于電子元器件的質(zhì)量和可靠性要求也越來(lái)越高，因?yàn)殡娮?..
而當(dāng)狀態(tài)發(fā)生變化時(shí)，暫時(shí)會(huì)有Q3和Q4管同時(shí)導(dǎo)通，這時(shí)在電源和地之間形成了短暫的低阻抗，產(chǎn)生了30～100 mA的尖峰電流。當(dāng)門輸出電平從低變?yōu)楦邥r(shí)，電...
一種可以實(shí)現(xiàn)太赫茲波前調(diào)控的超構(gòu)表面
近年來(lái)，太赫茲（THz）技術(shù)已經(jīng)成為第六代（6G）無(wú)線通信、雷達(dá)探測(cè)、光譜成像和生物醫(yī)學(xué)傳感等領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。
pcb連線寄生電容一般多少 隨著電子產(chǎn)品制造技術(shù)的成熟和發(fā)展，隨之而來(lái)的是布線技術(shù)的迅速發(fā)展。不同的 PCB 布線技術(shù)對(duì)于電路性能的影響不同，而其中最常...
以柔克剛 算法“軟”實(shí)力助跑MLED高畫(huà)質(zhì)
卡萊特是一家以視頻處理算法為核心、硬件設(shè)備為載體，為客戶提供視頻圖像領(lǐng)域綜合解決方案的高科技公司，依托先進(jìn)核心技術(shù)，追隨技術(shù)和應(yīng)用的發(fā)展，不斷為相關(guān)行業(yè)賦能。
2023-07-07 標(biāo)簽：LED顯示驅(qū)動(dòng)ICPWM控制 394 0
兩級(jí)運(yùn)放的自動(dòng)化設(shè)計(jì)思路
兩級(jí)運(yùn)放是一個(gè)比較常見(jiàn)的模塊。其中以5管+共源級(jí)最為簡(jiǎn)單，一般在中等增益時(shí)還是適用的。
AMAZINGIC晶焱科技考慮寄生電容的高速接口中的TVS選擇以及方案應(yīng)用
AMAZINGIC晶焱科技考慮寄生電容的高速接口中的TVS選擇以及方案應(yīng)用由授權(quán)一級(jí)代理分銷KOYUELEC光與電子0755-82574660，8254...
高增益紅外單光子探測(cè)技術(shù)研究進(jìn)展
超靈敏單光子探測(cè)是光量子信息和量子調(diào)控領(lǐng)域發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)，實(shí)現(xiàn)高效率、超靈敏、低功耗以及低成本的單光子探測(cè)具有重要的科學(xué)意義和應(yīng)用價(jià)值。
思達(dá)科技推出3D/2.5D MEMS微懸臂WAT探針卡
思達(dá)科技多年來(lái)致力在MEMS探針的技術(shù)研發(fā)，持續(xù)推出先進(jìn)的測(cè)試探針卡，以滿足各種行業(yè)的產(chǎn)業(yè)測(cè)試需求，Virgo Prima系列是專為微型化程序IC而設(shè)計(jì)...
PoC電感寬頻高阻抗升級(jí)解決同軸傳輸挑戰(zhàn)
PoC利用電源疊加技術(shù)，通過(guò)一根同軸電纜處理直流供電和交流信號(hào)而且不干擾，其中需要通過(guò)電感和電容來(lái)對(duì)直流和交流進(jìn)行分隔。在PoC應(yīng)用中，供電線受信號(hào)干擾...
開(kāi)關(guān)電源調(diào)試時(shí)最常見(jiàn)的10個(gè)問(wèn)題
開(kāi)關(guān)損耗太大，變壓器的寄生電容太大，造成MOSFET的開(kāi)通、關(guān)斷電流與Vds的交叉面積大。解決辦法：增加變壓器繞組的距離，以減小層間電容，如同繞組分多層...
2023-02-02 標(biāo)簽：變壓器開(kāi)關(guān)電源寄生電容 1385 0
張衛(wèi)：先進(jìn)CMOS制造工藝的技術(shù)演進(jìn)及自主發(fā)展思考
環(huán)柵器件溝道形成是在Si襯底上外延生長(zhǎng)SiGe/Si的超晶格結(jié)構(gòu)，然后進(jìn)行選擇性刻蝕形成堆疊Si納米片溝道。該工藝的關(guān)鍵是：①外延高質(zhì)量的SiGe/Si...
過(guò)孔的兩個(gè)寄生參數(shù)是什么？它有什么影響？應(yīng)該怎么消除？
過(guò)孔的兩個(gè)寄生參數(shù)是寄生電容和寄生電感。 過(guò)孔本身存在著對(duì)地的寄生電容，如果已知過(guò)孔在鋪地層上的隔離孔直徑為D2，過(guò)孔焊盤(pán)的直徑為D1，PCB板的厚度為...
對(duì)于MOSFET，米勒效應(yīng)（Miller Effect）指其輸入輸出之間的分布電容（柵漏電容）在反相放大作用下，使得等效輸入電容值放大的效應(yīng)。由于米勒效...
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