高增益紅外單光子探測技術(shù)研究進展

超靈敏單光子探測是光量子信息和量子調(diào)控領(lǐng)域發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)，實現(xiàn)高效率、超靈敏、低功耗以及低成本的單光子探測具有重要的科學(xué)意義和應(yīng)用價值。

2023-06-26 標(biāo)簽：雪崩二極管紅外探測器寄生電容 1058 0

4 個基本技巧幫助您避免傳導(dǎo) EMI 問題

以下這 4 個基本技巧可幫助您減少涉及 EMI 合規(guī)性時為您帶來的煩惱。當(dāng)然，EMI 主題非常廣泛，會涉及很多其它技巧?；仡櫟?1 部分()的討論內(nèi)容，...

2017-04-18 標(biāo)簽：emi寄生電容 1053 0

AMAZINGIC晶焱科技考慮寄生電容的高速接口中的TVS選擇以及方案應(yīng)用

AMAZINGIC晶焱科技考慮寄生電容的高速接口中的TVS選擇以及方案應(yīng)用由授權(quán)一級代理分銷KOYUELEC光與電子0755-82574660，8254...

2023-07-05 標(biāo)簽：接口TVS寄生電容 985 0

一種可以實現(xiàn)太赫茲波前調(diào)控的超構(gòu)表面

近年來，太赫茲（THz）技術(shù)已經(jīng)成為第六代（6G）無線通信、雷達探測、光譜成像和生物醫(yī)學(xué)傳感等領(lǐng)域的研究熱點。

2023-08-29 標(biāo)簽：無線通信諧振器氮化鎵 960 0

碳納米管晶體管兼容已有半導(dǎo)體制程工藝，解決碳納米管均勻可控摻雜難題

研究中，他們提出了一種頂柵互補碳納米管金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)（Top Gate complementary CNT MOSFETs）。在該...

2024-01-05 標(biāo)簽：晶體管寄生電容碳納米 879 0

PowerLab 筆記：如何避免傳導(dǎo) EMI 問題

大部分傳導(dǎo) EMI 問題都是由共模噪聲引起的。而且，大部分共模噪聲問題都是由電源中的寄生電容導(dǎo)致的。對于該討論主題的第 1 部分，我們著重討論當(dāng)寄生電容...

2017-04-18 標(biāo)簽：emi寄生電容 781 0

艾為電子推出第3代自適應(yīng)可編程SAR Sensor AW963xx系列

生活中電磁波無處不在，電磁波在傳播過程中所造成的能量消耗或泄露稱為電磁輻射。

2024-02-27 標(biāo)簽：SARRAM寄生電容 769 0

SiC MOSFET 和Si MOSFET寄生電容在高頻電源中的損耗對比

SiC MOSFET 和Si MOSFET寄生電容在高頻電源中的損耗對比

2023-12-05 標(biāo)簽：SiC損耗寄生電容 731 0

PCB線路上的噪聲

而當(dāng)狀態(tài)發(fā)生變化時，暫時會有Q3和Q4管同時導(dǎo)通，這時在電源和地之間形成了短暫的低阻抗，產(chǎn)生了30～100 mA的尖峰電流。當(dāng)門輸出電平從低變?yōu)楦邥r，電...

2023-08-29 標(biāo)簽：電源電容電感 547 0